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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RGP02-20E-805E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-20E-805E3/53 -
RFQ
ECAD 4402 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2000 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
UH4PCC-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PCC-M3/87A -
RFQ
ECAD 6119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn uh4 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 2A 1.05 V @ 2 a 25 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N4741A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4741A-TAP 0.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4741 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 8 옴
VS-70HFR160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR160 15.3100
RFQ
ECAD 6106 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HFR160 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1600 v 1.46 V @ 220 a 4.5 ma @ 1600 v -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
GI854-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI854-E3/54 -
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GI854 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 3 a 200 ns 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
BZT52B11-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B11-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 3416 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B11 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 8.5 v 11 v 6 옴
V40DM100C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40DM100C-M3/I 1.9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V40DM100 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 770 MV @ 20 a 700 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-80PF40W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80PF40W 4.7892
RFQ
ECAD 1583 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 80pf40 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs80pf40w 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.4 V @ 220 a -55 ° C ~ 180 ° C 80a -
VS-87HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HF100 9.4189
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 87HF100 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS87HF100 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.2 v @ 267 a -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
SD103BW-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103BW-G3-18 0.0612
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
BZX55C12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C12-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 - 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C12 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 9.1 v 12 v 20 옴
VLZ4V7-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ4V7-GS18 -
RFQ
ECAD 6533 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ4V7 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 25 옴
VS-E5TH3012-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5th3012-M3 2.0600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 E5th3012 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-E5th3012-M3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.5 V @ 30 a 58 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
Z4KE130A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE130A-E3/73 -
RFQ
ECAD 3164 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Z4KE130 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Z4KE130AE373 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 500 MA 500 NA @ 99.2 v 130 v 800 옴
BZT52B22-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B22-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 5829 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B22 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 17 v 22 v 25 옴
VF20120SG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20120SG-E3/45 -
RFQ
ECAD 4337 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 VF20120 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.33 V @ 20 a 250 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
1N4001GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4001GP-E3/54 0.4900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4001 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 50 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
EGP30CHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30CHE3/54 -
RFQ
ECAD 6748 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP30 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
UH4PDCHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh4pdchm3_a/i -
RFQ
ECAD 3727 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn uh4 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 2A 1.05 V @ 2 a 24 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZT52C47-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C47-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C47 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 35 v 47 v 70 옴
VS-6FLR40S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FLR40S02 5.5208
RFQ
ECAD 8521 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6FLR40 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 50 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
VS-HFA08TB120SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB120SPBF -
RFQ
ECAD 6186 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모 쓸모 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA08 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.3 v @ 8 a 95 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-HFA16TA60C-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16TA60C-M3 1.2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 HFA16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 8a 2.1 V @ 16 a 55 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C27P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C27P-E3-08 0.4100
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
GI250-2-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI250-2-E3/54 0.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GI250 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 2000 v 3.5 v @ 250 ma 2 µs 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 175 ° C 250ma 3pf @ 4V, 1MHz
PLZ22D-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ22D-G3/H 0.3200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz22 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 17 v 22 v 30 옴
AZ23B33-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B33-G3-18 0.0594
RFQ
ECAD 7637 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B33 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 25 v 33 v 80 옴
BZX84B51-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B51-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84B51-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
VS-8ETH03STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH03STRRHM3 1.0444
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8ETH03 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-8ETH03STRRHM3TR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 35 ns 20 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
BZX884B16L-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX884B16L-G3-08 0.3200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX884L 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 0402 (1006 메트릭) BZX884 300MW DFN1006-2A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고