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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-1N1190 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1190 -
RFQ
ECAD 4787 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1190 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.7 V @ 110 a 10 ma @ 600 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
VS-87HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFL60S02 10.4273
RFQ
ECAD 8139 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 87HFL60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS87HFL60S02 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.2 v @ 267 a -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
MMSZ5236C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5236C-HE3-18 0.0454
RFQ
ECAD 9115 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5236 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
BYG24J-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG24J-E3/TR 0.5300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG24 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1.5 a 140 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-MBRB3045CTL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB3045CTL-M3 0.8344
RFQ
ECAD 3284 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB3045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 760 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4732A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4732A-T -
RFQ
ECAD 1505 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4732 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 500 옴
VF30100S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30100S-E3/45 -
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 VF30100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VF30100S-E3/45GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 910 MV @ 30 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
BZG03B16-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B16-M3-18 0.2228
RFQ
ECAD 4788 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B16 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 12 v 16 v 15 옴
SE20PJHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20PJHM3/84A 0.1048
RFQ
ECAD 7515 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SE20 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.05 V @ 2 a 1.2 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 13pf @ 4V, 1MHz
AU3PKHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au3pkhm3/86a -
RFQ
ECAD 5192 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AU3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 2.5 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.4a 42pf @ 4V, 1MHz
V3FL45HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3fl45hm3/h 0.3900
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab v3fl45 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 580 mV @ 3 a 750 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 370pf @ 4V, 1MHz
BZG05C43-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C43-E3-TR -
RFQ
ECAD 4146 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 33 v 43 v 50 옴
DZ23C15-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C15-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 2380 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
GP10-4005E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4005E-E3/73 -
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v - 1A -
1N4007GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/53 -
RFQ
ECAD 2749 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
1N5393GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5393GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 6181 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5393 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 200 v 1.4 V @ 1.5 a 2 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4448W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448W-E3-08 0.2600
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4448 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 720 mv @ 5 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
V10K60DUHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10k60duhm3/h 0.3350
RFQ
ECAD 3025 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn v10k60 Schottky flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 60 v 5a 620 MV @ 5 a 400 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
UF1005-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF1005-E3/73 -
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1005 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
VSSAF5M15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf5m15hm3/h 0.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF5M15 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.15 V @ 5 a 180 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 5a 290pf @ 4V, 1MHz
SB360L-5705E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB360L-5705E3/72 -
RFQ
ECAD 8674 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 112-SB360L-5705E3/72tr 귀 99 8541.10.0080 1,400
FEP16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16AT-E3/45 0.7128
RFQ
ECAD 1520 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 fep16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 16A 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
RGP10MHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10MHE3/54 -
RFQ
ECAD 5383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZX384C8V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C8V2-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C8V2 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
BYVB32-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-200-E3/45 1.6900
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BYVB32 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-1N3213 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3213 -
RFQ
ECAD 9097 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3213 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 500 v 1.5 v @ 15 a 10 ma @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-60APH03-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APH03-N3 4.5800
RFQ
ECAD 531 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 60APH03 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-60APH03-N3GI 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.45 V @ 60 a 42 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
V35PW15-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v35pw15-m3/i 1.3300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 v35pw15 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.4 V @ 35 a 250 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C 35a 1620pf @ 4V, 1MHz
SS8P6C-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P6C-M3/87A 0.6600
RFQ
ECAD 7690 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS8P6 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 4a 700 mv @ 4 a 50 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5244C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5244C-HE3-18 0.0454
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5244 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고