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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-1N1190 | - | ![]() | 4787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N1190 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 600 v | 1.7 V @ 110 a | 10 ma @ 600 v | -65 ° C ~ 190 ° C | 35a | - | |||||||||||
![]() | VS-87HFL60S02 | 10.4273 | ![]() | 8139 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 87HFL60 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS87HFL60S02 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 600 v | 1.2 v @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C | 85A | - | |||||||||||
![]() | MMSZ5236C-HE3-18 | 0.0454 | ![]() | 9115 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5236 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µa @ 6 v | 7.5 v | 6 옴 | |||||||||||||
![]() | BYG24J-E3/TR | 0.5300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BYG24 | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.25 V @ 1.5 a | 140 ns | 1 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | ||||||||||
![]() | VS-MBRB3045CTL-M3 | 0.8344 | ![]() | 3284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB3045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 15a | 760 mV @ 30 a | 1 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | 1N4732A-T | - | ![]() | 1505 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4732 | 1.3 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 4.7 v | 500 옴 | |||||||||||||
![]() | VF30100S-E3/45 | - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | VF30100 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VF30100S-E3/45GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 910 MV @ 30 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||
![]() | BZG03B16-M3-18 | 0.2228 | ![]() | 4788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03B16 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 12 v | 16 v | 15 옴 | ||||||||||||
![]() | SE20PJHM3/84A | 0.1048 | ![]() | 7515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | SE20 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 600 v | 1.05 V @ 2 a | 1.2 µs | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 13pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | au3pkhm3/86a | - | ![]() | 5192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | AU3 | 눈사태 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 2.5 V @ 3 a | 75 ns | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | 42pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | v3fl45hm3/h | 0.3900 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | v3fl45 | Schottky | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 580 mV @ 3 a | 750 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 370pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZG05C43-E3-TR | - | ![]() | 4146 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG05C | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 33 v | 43 v | 50 옴 | ||||||||||||
DZ23C15-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, DZ23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 음극 음극 공통 | 100 na @ 11 v | 15 v | 30 옴 | |||||||||||||
![]() | GP10-4005E-E3/73 | - | ![]() | 6806 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 600 v | - | 1A | - | |||||||||||||
![]() | 1N4007GPEHE3/53 | - | ![]() | 2749 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4007 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5393GPHE3/73 | - | ![]() | 6181 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 1N5393 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 200 v | 1.4 V @ 1.5 a | 2 µs | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4448W-E3-08 | 0.2600 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | 1N4448 | 기준 | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 720 mv @ 5 ma | 4 ns | 5 µa @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 150ma | - | ||||||||||
![]() | v10k60duhm3/h | 0.3350 | ![]() | 3025 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powertdfn | v10k60 | Schottky | flatpak 5x6 (이중) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 60 v | 5a | 620 MV @ 5 a | 400 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | UF1005-E3/73 | - | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | UF1005 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | vssaf5m15hm3/h | 0.4800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | SAF5M15 | Schottky | DO-221AC (Slimsma) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.15 V @ 5 a | 180 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 5a | 290pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
SB360L-5705E3/72 | - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 112-SB360L-5705E3/72tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FEP16AT-E3/45 | 0.7128 | ![]() | 1520 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | fep16 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 50 v | 16A | 950 MV @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | RGP10MHE3/54 | - | ![]() | 5383 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | RGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX384C8V2-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C8V2 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 | |||||||||||||
![]() | BYVB32-200-E3/45 | 1.6900 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BYVB32 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-1N3213 | - | ![]() | 9097 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N3213 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 500 v | 1.5 v @ 15 a | 10 ma @ 500 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 15a | - | |||||||||||
![]() | VS-60APH03-N3 | 4.5800 | ![]() | 531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 60APH03 | 기준 | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS-60APH03-N3GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.45 V @ 60 a | 42 ns | 10 µa @ 300 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 60a | - | |||||||||
![]() | v35pw15-m3/i | 1.3300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | v35pw15 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.4 V @ 35 a | 250 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 35a | 1620pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SS8P6C-M3/87A | 0.6600 | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS8P6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 4a | 700 mv @ 4 a | 50 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MMSZ5244C-HE3-18 | 0.0454 | ![]() | 8954 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5244 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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