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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMSZ4687-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4687-E3-18 0.2700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4687 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 4 µa @ 2 v 4.3 v
VS-30ETH06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-30eth06fp-n3 3.0467
RFQ
ECAD 7026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 30ETH06 기준 TO-220-2 풀 -2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs30eth06fpn3 귀 99 8541.10.0080 1,000 600 v 2.6 V @ 30 a 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
UH4PBC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PBC-M3/86A -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn uh4 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 2A 1.05 V @ 2 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
SE30NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30nj-m3/i 0.4900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn 기준 DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 19pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKD196/12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD196/12PBF 66.6933
RFQ
ECAD 4025 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 int-a-pak VSKD196 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvskd19612pbf 귀 99 8541.10.0080 15 1 음극 음극 공통 1200 v 97.5A 20 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C
MB30H100CTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB30H100CThe3_B/P 1.1550
RFQ
ECAD 9141 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MB30H100 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 820 MV @ 15 a 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZX84B5V1-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B5V1-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84B5V1-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZX84B20-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B20-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 7675 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B20 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
BZX85B18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B18-TAP 0.5500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX85 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85B18 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 13 v 18 v 20 옴
SE8D30J-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE8D30J-M3/I 0.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.1 v @ 3 a 1.2 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 19pf @ 4V, 1MHz
V8K202DUHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8k202duhm3/h 0.3663
RFQ
ECAD 9416 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky flatpak 5x6 (이중) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V8K202DUHM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 1.8a 920 MV @ 4 a 10 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
TZM5247F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5247F-GS18 -
RFQ
ECAD 4220 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5247 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 17 v 600 옴
AU3PG-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AU3PG-M3/87A 0.4455
RFQ
ECAD 9895 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AU3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.9 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.7a 72pf @ 4V, 1MHz
V40100GHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100GHM3/4W -
RFQ
ECAD 4444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 V40100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
VSS8D2M12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m12hm3/i 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D2 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 600 mV @ 1 a 250 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.9a 220pf @ 4V, 1MHz
SE20DTG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20DTG-M3/I 1.6600
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 기준 SMPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 400 v 1.2 v @ 20 a 3 µs 25 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 3.8a 150pf @ 4V, 1MHz
SS2PH10HE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH10HE3/84A -
RFQ
ECAD 6990 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS2PH10 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 2 a 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 65pf @ 4V, 1MHz
UB10CCT-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division UB10CCT-E3/8W -
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UB10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 1.1 v @ 5 a 25 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
SML4739AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4739ahe3/5a -
RFQ
ECAD 1862 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4739 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
1N4248GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4248GP-M3/54 -
RFQ
ECAD 1366 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 1N4248 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500
MMBZ4699-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4699-HE3-18 -
RFQ
ECAD 2805 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4699 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 9.1 v 12 v
TZM5261B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5261B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 1376 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5261 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
BY228GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY228GP-E3/54 1.5500
RFQ
ECAD 2213 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by228 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 1500 v 1.6 V @ 2.5 a 2 µs 5 µa @ 1500 v -65 ° C ~ 150 ° C 2.5A 40pf @ 4V, 1MHz
VI30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100C-E3/4W 1.8900
RFQ
ECAD 915 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI30100 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 800 mV @ 15 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
UG4C-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG4C-M3/73 -
RFQ
ECAD 2629 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UG4 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 4 a 30 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 20pf @ 4V, 1MHz
VS-74-7680 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-74-7680 -
RFQ
ECAD 2505 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 74-7680 - 112-VS-74-7680 1
SE10DLG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10dlg-m3/i 1.1200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 기준 TO-263AC (SMPD) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 10 a 280 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 3.6a 70pf @ 4V, 1MHz
VS-5EAH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EAH02-M3/I 0.5800
RFQ
ECAD 6995 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn VS-5EAH02 기준 DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 970 MV @ 5 a 25 ns 4 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a -
1N4006GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4006 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SB360-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB360-E3/73 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB360 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고