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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GBU8J-001M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8J-001M3/51 -
RFQ
ECAD 9241 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µa @ 600 v 3.9 a 단일 단일 600 v
GBU8J-02E3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbu8j-02e3/p -
RFQ
ECAD 8001 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µa @ 600 v 3.9 a 단일 단일 600 v
GBU8JL-6088E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8JL-6088E3/51 -
RFQ
ECAD 1388 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µa @ 600 v 3.9 a 단일 단일 600 v
GBU8K-3E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8K-3E3/51 -
RFQ
ECAD 1878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µa @ 800 v 3.9 a 단일 단일 800 v
GBU8K-4E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8K-4E3/51 -
RFQ
ECAD 3729 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µa @ 800 v 3.9 a 단일 단일 800 v
GBU8K-5410E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8K-5410E3/51 -
RFQ
ECAD 2419 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µa @ 800 v 3.9 a 단일 단일 800 v
GBU8KL-5302E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8KL-5302E3/45 -
RFQ
ECAD 3404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU8 기준 GBU - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 a 5 µa @ 800 v 3.9 a 단일 단일 800 v
GSIB2560NL-01M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2560NL-01M3/p -
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GSIB-5S GSIB2560 기준 GSIB-5 - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 3.5 a 단일 단일 600 v
GSIB2580-5401E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2580-5401E3/45 -
RFQ
ECAD 4959 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GSIB-5S GSIB2580 기준 GSIB-5 - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 3.5 a 단일 단일 800 v
MBL108S-01M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBL108S-01M3/i -
RFQ
ECAD 5945 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 MBL1 기준 4-SMD - ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 950 mV @ 400 mA 5 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
V30D202CHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30D202CHM3_A/I 1.6470
RFQ
ECAD 6866 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v30d202 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 880 mV @ 15 a 200 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-2ENH01HM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-2enh01hm3/85a 0.0957
RFQ
ECAD 1042 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA 2enh01 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 2 a 28 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
VS-1ENH02-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1enh02-m3/85a 0.0743
RFQ
ECAD 9054 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA 1enh02 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 1 a 28 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SMZJ3793BHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3793bhm3/i -
RFQ
ECAD 4813 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
SMZJ3795BHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3795bhm3/i -
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
SMZJ3806BHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3806bhm3_a/i 0.1815
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3806 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 38.8 v 51 v 70 옴
SMZJ3807BHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3807bhm3_a/i -
RFQ
ECAD 2259 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3807 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 42.6 v 56 v 86 옴
SML4742AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4742ahe3_a/i 0.5600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4742 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 9.1 v 12 v 9 옴
SML4754AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4754ahe3_a/h 0.2253
RFQ
ECAD 5313 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4754 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 29.7 v 39 v 60 옴
SML4758AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4758ahe3_a/h 0.2253
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4758 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
SML4758HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4758HE3_A/I 0.1434
RFQ
ECAD 5364 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4758 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
SML4760HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4760HE3_A/I 0.2107
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4760 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
SML4763AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4763ahe3_a/i 0.5600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4763 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 69.2 v 91 v 250 옴
SML4764HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4764he3_a/i 0.2063
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4764 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
SMZJ3791BHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3791BHM3_A/I 0.1815
RFQ
ECAD 2956 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3791 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
SMZJ3797BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3797bhe3_a/i 0.1597
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3797 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
SMZJ3798BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3798bhm3_a/h 0.5000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3798 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
SMZJ3801BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3801bhe3_a/h 0.1597
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3801 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 25.1 v 33 v 33 옴
SMZJ3803BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3803bhe3_a/i 0.1597
RFQ
ECAD 6787 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3803 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 29.7 v 39 v 45 옴
VSS8D3M6-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d3m6-m3/i 0.5100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D3 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 490 MV @ 1.5 a 300 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 2.5A 500pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고