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VS-1KAB20E Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1kab20e 1.9500
RFQ
ECAD 5754 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, D-38 1KAB20 기준 D-38 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 1.2 a 10 µa @ 200 v 1.2 a 단일 단일 200 v
VS-GBPC2512W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gbpc2512w 7.4700
RFQ
ECAD 8594 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division vs-gbpc 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2512 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 2 ma @ 1200 v 25 a 단일 단일 1.2kV
91MT120KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 91MT120KB -
RFQ
ECAD 6644 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 91mt120 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *91MT120KB 귀 99 8541.10.0080 3 90 a 3 단계 1.2kV
VS-GBPC2512A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GBPC2512A 7.3200
RFQ
ECAD 1258 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division vs-gbpc 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-A GBPC2512 기준 GBPC-A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 2 ma @ 1.2 v 25 a 단일 단일 1.2kV
GBU6J-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6J-E3/51 2.2100
RFQ
ECAD 596 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU6 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 250 1 V @ 6 a 5 µa @ 600 v 3.8 a 단일 단일 600 v
130MT80KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 130MT80KB -
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 130mt80 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 10 ma @ 800 v 130 a 3 단계 800 v
VS-36MB10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-36MB10A 8.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, D-34 36MB10 기준 D-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
DF04M/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF04M/45 -
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) DF04 기준 DFM 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 400 v 1 a 단일 단일 400 v
100MT160PB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 100mt160pb -
RFQ
ECAD 2285 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 7-mtpb 100MT160 기준 7-mtpb 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1.51 V @ 100 a 5 ma @ 100 v 100 a 3 단계 1.6kV
92MT140KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 92MT140KB -
RFQ
ECAD 4737 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 92MT140 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *92MT140KB 귀 99 8541.10.0080 3 90 a 3 단계 1.4kV
VS-26MB120A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-26MB120A 11.0100
RFQ
ECAD 5777 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, D-34 26MB120 기준 D-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 10 µa @ 1200 v 25 a 단일 단일 1.2kV
VS-GBPC2504W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GBPC2504W 6.8700
RFQ
ECAD 3966 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division vs-gbpc 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2504 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 2 ma @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
VS-2KBB05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2KBB05 0.9458
RFQ
ECAD 6890 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 튜브 활동적인 2KBB05 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500
GBPC1210-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC1210-E4/51 5.3000
RFQ
ECAD 91 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC1210 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 1000 v 12 a 단일 단일 1kv
DF06MA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF06MA-E3/45 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) DF06 기준 DFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
113MT120KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 113MT120KB -
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 113mt120 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *113MT120KB 귀 99 8541.10.0080 3 20 ma @ 1200 v 110 a 3 단계 1.2kV
VS-2KBP005 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2KBP005 2.2100
RFQ
ECAD 450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division VS-2KBP 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, D-44 2KBP005 기준 D-44 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1 V @ 1 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
111MT160KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 111MT160KB -
RFQ
ECAD 5117 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 111MT160 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 20 ma @ 1600 v 110 a 3 단계 1.6kV
VS-GBPC3512W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gbpc3512w 7.9100
RFQ
ECAD 3048 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division vs-gbpc 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3512 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 2 ma @ 1.2 v 35 a 단일 단일 1.2kV
60MT80KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60MT80KB -
RFQ
ECAD 1678 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 60mt80 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 60 a 3 단계 800 v
VS-2KBB60R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2KBB60R 1.7100
RFQ
ECAD 465 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip, 2kbb 2KBB60 기준 2KBB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 1.9 a 10 µa @ 600 v 1.9 a 단일 단일 600 v
70MT100KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 70MT100KB -
RFQ
ECAD 6495 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 70mt100 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *70MT100KB 귀 99 8541.10.0080 3 70 a 3 단계 1kv
104MT160KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 104MT160KB -
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 104mt160 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *104MT160KB 귀 99 8541.10.0080 3 40 ma @ 1600 v 100 a 3 단계 1.6kV
VS-36MT160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-36MT160 16.2600
RFQ
ECAD 4826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 5 3, D-63 36MT160 기준 D-63 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 10 µa @ 1600 v 35 a 3 단계 1.6kV
VS-2KBB100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2KBB100 1.7200
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip, 2kbb 2KBB100 기준 2KBB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 1.9 a 10 µa @ 1000 v 1.9 a 단일 단일 1kv
GBPC1206-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC1206-E4/51 5.3000
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC1206 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 600 v 12 a 단일 단일 600 v
111MT120KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 111MT120KB -
RFQ
ECAD 3125 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 MTK 111mt120 기준 MTK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *111MT120KB 귀 99 8541.10.0080 3 20 ma @ 1200 v 110 a 3 단계 1.2kV
VS-GBPC3504A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gbpc3504a 7.0700
RFQ
ECAD 7817 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division vs-gbpc 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC-A GBPC3504 기준 GBPC-A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 2 ma @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
VS-26MT60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-26MT60 16.3900
RFQ
ECAD 8211 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 5 3, D-63 26MT60 기준 D-63 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 100 µa @ 600 v 25 a 3 단계 600 v
VS-VS38DSR16M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS38DSR16M -
RFQ
ECAD 5177 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 VS38 - 112-VS-VS38DSR16M 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고