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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 현재- 정류 평균 (IO) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) |
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vs-1kab20e | 1.9500 | ![]() | 5754 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, D-38 | 1KAB20 | 기준 | D-38 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 1.2 a | 10 µa @ 200 v | 1.2 a | 단일 단일 | 200 v | |||
![]() | vs-gbpc2512w | 7.4700 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | vs-gbpc | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, GBPC-W | GBPC2512 | 기준 | GBPC-W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 v @ 12.5 a | 2 ma @ 1200 v | 25 a | 단일 단일 | 1.2kV | ||
![]() | 91MT120KB | - | ![]() | 6644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 91mt120 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *91MT120KB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 a | 3 단계 | 1.2kV | |||
VS-GBPC2512A | 7.3200 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | vs-gbpc | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, GBPC-A | GBPC2512 | 기준 | GBPC-A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 2 ma @ 1.2 v | 25 a | 단일 단일 | 1.2kV | ||||
![]() | GBU6J-E3/51 | 2.2100 | ![]() | 596 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU6 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 600 v | 3.8 a | 단일 단일 | 600 v | ||
![]() | 130MT80KB | - | ![]() | 4225 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 130mt80 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 10 ma @ 800 v | 130 a | 3 단계 | 800 v | |||
![]() | VS-36MB10A | 8.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, D-34 | 36MB10 | 기준 | D-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 µa @ 100 v | 35 a | 단일 단일 | 100 v | |||
![]() | DF04M/45 | - | ![]() | 6760 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) | DF04 | 기준 | DFM | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 400 v | 1 a | 단일 단일 | 400 v | ||
100mt160pb | - | ![]() | 2285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 7-mtpb | 100MT160 | 기준 | 7-mtpb | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.51 V @ 100 a | 5 ma @ 100 v | 100 a | 3 단계 | 1.6kV | |||
![]() | 92MT140KB | - | ![]() | 4737 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 92MT140 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *92MT140KB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 a | 3 단계 | 1.4kV | |||
![]() | VS-26MB120A | 11.0100 | ![]() | 5777 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, D-34 | 26MB120 | 기준 | D-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 µa @ 1200 v | 25 a | 단일 단일 | 1.2kV | |||
![]() | VS-GBPC2504W | 6.8700 | ![]() | 3966 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | vs-gbpc | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, GBPC-W | GBPC2504 | 기준 | GBPC-W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 2 ma @ 400 v | 25 a | 단일 단일 | 400 v | |||
![]() | VS-2KBB05 | 0.9458 | ![]() | 6890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | * | 튜브 | 활동적인 | 2KBB05 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | ||||||||||||
![]() | GBPC1210-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, GBPC | GBPC1210 | 기준 | GBPC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 v @ 6 a | 5 µa @ 1000 v | 12 a | 단일 단일 | 1kv | ||
![]() | DF06MA-E3/45 | 0.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) | DF06 | 기준 | DFM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | 1 a | 단일 단일 | 600 v | ||
![]() | 113MT120KB | - | ![]() | 3955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 113mt120 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *113MT120KB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 20 ma @ 1200 v | 110 a | 3 단계 | 1.2kV | ||
![]() | VS-2KBP005 | 2.2100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | VS-2KBP | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, D-44 | 2KBP005 | 기준 | D-44 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 50 v | 2 a | 단일 단일 | 50 v | ||
![]() | 111MT160KB | - | ![]() | 5117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 111MT160 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 20 ma @ 1600 v | 110 a | 3 단계 | 1.6kV | |||
![]() | vs-gbpc3512w | 7.9100 | ![]() | 3048 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | vs-gbpc | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, GBPC-W | GBPC3512 | 기준 | GBPC-W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 2 ma @ 1.2 v | 35 a | 단일 단일 | 1.2kV | |||
![]() | 60MT80KB | - | ![]() | 1678 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 60mt80 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 60 a | 3 단계 | 800 v | ||||
![]() | VS-2KBB60R | 1.7100 | ![]() | 465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip, 2kbb | 2KBB60 | 기준 | 2KBB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 1.9 a | 10 µa @ 600 v | 1.9 a | 단일 단일 | 600 v | ||
![]() | 70MT100KB | - | ![]() | 6495 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 70mt100 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *70MT100KB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 70 a | 3 단계 | 1kv | |||
![]() | 104MT160KB | - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 104mt160 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *104MT160KB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 40 ma @ 1600 v | 100 a | 3 단계 | 1.6kV | ||
![]() | VS-36MT160 | 16.2600 | ![]() | 4826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 5 3, D-63 | 36MT160 | 기준 | D-63 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 µa @ 1600 v | 35 a | 3 단계 | 1.6kV | |||
VS-2KBB100 | 1.7200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip, 2kbb | 2KBB100 | 기준 | 2KBB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 1.9 a | 10 µa @ 1000 v | 1.9 a | 단일 단일 | 1kv | |||
![]() | GBPC1206-E4/51 | 5.3000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, GBPC | GBPC1206 | 기준 | GBPC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 v @ 6 a | 5 µa @ 600 v | 12 a | 단일 단일 | 600 v | ||
![]() | 111MT120KB | - | ![]() | 3125 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MTK | 111mt120 | 기준 | MTK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *111MT120KB | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 20 ma @ 1200 v | 110 a | 3 단계 | 1.2kV | ||
vs-gbpc3504a | 7.0700 | ![]() | 7817 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | vs-gbpc | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, GBPC-A | GBPC3504 | 기준 | GBPC-A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 2 ma @ 400 v | 35 a | 단일 단일 | 400 v | ||||
![]() | VS-26MT60 | 16.3900 | ![]() | 8211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 5 3, D-63 | 26MT60 | 기준 | D-63 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 100 µa @ 600 v | 25 a | 3 단계 | 600 v | |||
![]() | VS-VS38DSR16M | - | ![]() | 5177 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | VS38 | - | 112-VS-VS38DSR16M | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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