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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
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TLZ6V2B-GS18	0.0335	RFQ	7343	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	tlz6v2		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 200 ma		3 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
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VS-30CPQ090PBF	-	RFQ	5514	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	30cpq09	Schottky		TO-247AC	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	90 v	15a	860 mV @ 15 a		550 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 175 ° C
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DGP30HE3/54	-	RFQ	4089	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	DGP30	기준		Do-201ad	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		짐		1500 v		1.2 v @ 3 a	20 µs	5 µa @ 1500 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
1N4006E-E3/73	-	RFQ	1466	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4006	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		800 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
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US1GHM3_A/I	0.1193	RFQ	8568	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	112-US1GHM3_A/ITR	귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1 V @ 1 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²