전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UGB8BT-E3/81 | - | ![]() | 6268 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | UGB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 8 a | 30 ns | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||
![]() | se10fghm3/i | 0.0870 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | SE10 | 기준 | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 400 v | 1.05 V @ 1 a | 780 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 7.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | vs-8etl06strlpbf | - | ![]() | 1647 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 8ETL06 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs8etl06strlpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||
![]() | TZQ5267B-GS08 | 0.0303 | ![]() | 8210 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | TZQ5267 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 56 v | 75 v | 270 옴 | |||||||||||
![]() | BZG05B15-HE3-TR3 | - | ![]() | 5066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05B | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 15 옴 | ||||||||||||
BZX84B4V3-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 6876 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B4V3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | |||||||||||||
MMBZ5265C-E3-08 | - | ![]() | 9055 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5265 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 47 v | 62 v | 185 옴 | |||||||||||||
![]() | VS-SD300C08C | 50.0758 | ![]() | 5170 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 클램프 클램프 | DO-200AA, A-PUK | SD300 | 기준 | DO-200AA, A-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 짐 | 800 v | 2.08 V @ 1500 a | 15 ma @ 800 v | 650a | - | |||||||||||
![]() | VS-T40HFL100S05 | 31.1900 | ![]() | 206 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | D-55 T- 5 | T40 | 기준 | D-55 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 500 ns | 100 @ 1000 v | 40a | - | |||||||||||
![]() | byw34-tr | 0.2772 | ![]() | 4751 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BYW34 | 눈사태 | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||
![]() | BZX384C4V3-HE3-08 | 0.0341 | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C4V3 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | ||||||||||||
![]() | MP685-E3/54 | - | ![]() | 9923 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | MP685 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 짐 | 600 v | - | 1A | - | ||||||||||||
MMBZ5237B-G3-08 | - | ![]() | 4864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5237 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µa @ 6.5 v | 8.2 v | 6 옴 | |||||||||||||
![]() | GDZ24B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 8073 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | GDZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ24 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 19 v | 24 v | 120 옴 | ||||||||||||
![]() | TZM5255B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5255 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 21 v | 28 v | 44 옴 | |||||||||||
![]() | V12P45-M3/87A | 0.3797 | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v12p45 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 580 mV @ 12 a | 1 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 4.3A | - | ||||||||||
![]() | SX050H100S4pt | - | ![]() | 5385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 주사위 | SX050 | Schottky | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 1 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | MMSZ4689-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 9407 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4689 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µa @ 3 v | 5.1 v | |||||||||||||
![]() | VS-6TQ040STRL-M3 | 0.5587 | ![]() | 4849 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 6TQ040 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mV @ 6 a | 800 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
8ETH03 | - | ![]() | 8935 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 8ETH03 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.25 V @ 8 a | 35 ns | 20 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||
![]() | SMBZ5927B-M3/5B | 0.1906 | ![]() | 4515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBZ5927 | 550 MW | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 6.5 옴 | |||||||||||
![]() | SE8D30D-M3/I | 0.4100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | 기준 | Slimsmaw (do-221ad) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 3 a | 1.2 µs | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 19pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MBR10100CT-E3/45 | - | ![]() | 8688 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR1010 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 5a | 850 mV @ 5 a | 100 @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | GF1BHE3/67A | - | ![]() | 2014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214BA | GF1 | 기준 | DO-214BA (GF1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | vs-mbrb1045trr-m3 | 0.6042 | ![]() | 1893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB1045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 570 mV @ 10 a | 100 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | 600pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZG03B24TR | - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG03B | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 18 v | 24 v | 15 옴 | ||||||||||||
V50100pw-M3/4W | - | ![]() | 7629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | v50100 | Schottky | TO-3PW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 25A | 840 mV @ 25 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | U2D-M3/5BT | 0.1203 | ![]() | 1667 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | U2D | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 900 mV @ 2 a | 27 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 16pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | fepb6athe3/45 | - | ![]() | 6953 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | fepb6 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 50 v | 6A | 975 MV @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | VS-20CTQ035-M3 | 0.8135 | ![]() | 1093 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 20ctq035 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 35 v | 20A | 760 mV @ 20 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고