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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UGB8BT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8BT-E3/81 -
RFQ
ECAD 6268 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 8 a 30 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SE10FGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10fghm3/i 0.0870
RFQ
ECAD 8271 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SE10 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 400 v 1.05 V @ 1 a 780 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 7.5pf @ 4V, 1MHz
VS-8ETL06STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8etl06strlpbf -
RFQ
ECAD 1647 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8ETL06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8etl06strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
TZQ5267B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5267B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 8210 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5267 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 56 v 75 v 270 옴
BZG05B15-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B15-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 5066 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 11 v 15 v 15 옴
BZX84B4V3-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B4V3-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 6876 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B4V3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
MMBZ5265C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5265C-E3-08 -
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5265 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 47 v 62 v 185 옴
VS-SD300C08C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD300C08C 50.0758
RFQ
ECAD 5170 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AA, A-PUK SD300 기준 DO-200AA, A-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 800 v 2.08 V @ 1500 a 15 ma @ 800 v 650a -
VS-T40HFL100S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HFL100S05 31.1900
RFQ
ECAD 206 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T40 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 500 ns 100 @ 1000 v 40a -
BYW34-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw34-tr 0.2772
RFQ
ECAD 4751 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYW34 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
BZX384C4V3-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C4V3-HE3-08 0.0341
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C4V3 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
MP685-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MP685-E3/54 -
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MP685 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 600 v - 1A -
MMBZ5237B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5237B-G3-08 -
RFQ
ECAD 4864 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5237 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 6 옴
GDZ24B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ24B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 8073 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ24 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 19 v 24 v 120 옴
TZM5255B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5255B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5255 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
V12P45-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P45-M3/87A 0.3797
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v12p45 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 580 mV @ 12 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 4.3A -
SX050H100S4PT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SX050H100S4pt -
RFQ
ECAD 5385 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 주사위 SX050 Schottky 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 1 a 1 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
MMSZ4689-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4689-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 9407 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4689 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 3 v 5.1 v
VS-6TQ040STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ040STRL-M3 0.5587
RFQ
ECAD 4849 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 6TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 400pf @ 5V, 1MHz
8ETH03 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETH03 -
RFQ
ECAD 8935 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 8ETH03 기준 TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 35 ns 20 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
SMBZ5927B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5927B-M3/5B 0.1906
RFQ
ECAD 4515 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBZ5927 550 MW DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 6.5 옴
SE8D30D-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE8D30D-M3/I 0.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 200 v 1.1 v @ 3 a 1.2 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 19pf @ 4V, 1MHz
MBR10100CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10100CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1010 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 850 mV @ 5 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
GF1BHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1BHE3/67A -
RFQ
ECAD 2014 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA GF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 100 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-MBRB1045TRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb1045trr-m3 0.6042
RFQ
ECAD 1893 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB1045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A 600pf @ 5V, 1MHz
BZG03B24TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B24TR -
RFQ
ECAD 8927 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 18 v 24 v 15 옴
V50100PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V50100pw-M3/4W -
RFQ
ECAD 7629 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 v50100 Schottky TO-3PW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 25A 840 mV @ 25 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
U2D-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division U2D-M3/5BT 0.1203
RFQ
ECAD 1667 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB U2D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 2 a 27 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 16pf @ 4V, 1MHz
FEPB6ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb6athe3/45 -
RFQ
ECAD 6953 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB fepb6 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 6A 975 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-20CTQ035-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ035-M3 0.8135
RFQ
ECAD 1093 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 20ctq035 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 20A 760 mV @ 20 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고