- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
다이오드 (29505)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BYM10-100HE3/96 | - |  | 1212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | bym10 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BYM10-100HE3_A/H | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | 1N4248GP-M3/54 | - | | 1366 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 1N4248 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | ||||||||||||||||||||
 | ZM4741A-GS08 | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | ZM4741 | 1 W. | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µa @ 8.4 v | 11 v | 8 옴 | ||||||||||||
 | GI854-E3/54 | - | | 4390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | GI854 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 3 a | 200 ns | 10 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | 1N5620GPHE3/54 | - | | 9315 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 1N5620 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 짐 | 800 v | 1.2 v @ 1 a | 2 µs | 500 NA @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 12v, 1MHz | |||||||||
| vs-50pf140w | 5.6038 | | 9798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 50pf140 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs50pf140w | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1400 v | 1.5 V @ 125 a | -55 ° C ~ 160 ° C | 50a | - | ||||||||||
 | VI30100C-E3/4W | 1.8900 | | 915 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | VI30100 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 15a | 800 mV @ 15 a | 500 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | VS-32CTQ030-M3 | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 32ctq030 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 30A | 580 mV @ 30 a | 1.75 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | BZG05C4V7-M3-18 | 0.3900 | | 5348 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG05C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.38% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05C4V7 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µa @ 1 v | 4.7 v | 13 옴 | |||||||||||
| UG4C-M3/73 | - | | 2629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | UG4 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 950 MV @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 4a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | RMPG06D-E3/53 | 0.1792 | | 4706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | MPG06,, 방향 | RMPG06 | 기준 | MPG06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | MMSZ5248B-E3-08 | 0.2700 | | 7896 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5248 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 옴 | ||||||||||||
| SML4750A-E3/5A | 0.1815 | | 9379 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4750 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | ||||||||||||
 | MBRB1535Cthe3_A/I | - | | 9546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB15 | Schottky | TO-263AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 35 v | 7.5A | 840 mV @ 15 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
| VS-74-7680 | - | | 2505 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 74-7680 | - | 112-VS-74-7680 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | SMZJ3795B-E3/5B | 0.1546 | | 1210 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMZJ3795 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µa @ 13.7 v | 18 v | 12 옴 | ||||||||||||
 | MBRB10H60HE3/81 | - | | 1840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 710 MV @ 10 a | 100 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||
 | uh3dhe3_a/i | - | | 5603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | uh3 | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.05 V @ 3 a | 40 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
| BYM11-200HE3/96 | - | | 9515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | bym11 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BYM11-200HE3_A/H | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
 | TLZ9V1A-GS18 | 0.0335 | | 1826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | tlz9v1 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 40 NA @ 7.88 v | 9.1 v | 8 옴 | |||||||||||
| VS-80PF80W | 6.6200 | | 8480 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 80pf80 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 800 v | 1.4 V @ 220 a | -55 ° C ~ 180 ° C | 80a | - | |||||||||||
 | ZPY47 탭 | 0.0545 | | 3514 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | ZPY47 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | ZPY47TAP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 NA @ 35 v | 47 v | 40 | |||||||||||
 | SB2M-M3/5BT | 0.1160 | | 7744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SB2 | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 짐 | 1000 v | 1.15 V @ 2 a | 2 µs | 1 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 16pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| MBRB1060HE3_B/I | 0.6930 | | 4526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB1060 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
 | MMBZ4698-G3-18 | - | | 4663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4698 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 8.4 v | 11 v | |||||||||||||
| GP15MHE3/73 | - | | 2281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | GP15 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1.5 a | 3.5 µs | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | - | |||||||||
| EGP51C-E3/D | - | | 2525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | EGP51 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 960 MV @ 5 a | 50 ns | 5 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 5a | 117pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
 | S4PKHM3/86A | - | | 7009 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | S4P | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 4 a | 2.5 µs | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 4a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | v2pm6lhm3/h | 0.4400 | | 969 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | v2pm6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 630 mv @ 2 a | 200 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 2A | 250pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 125NQ015 | - | | 7437 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D-67 하프 7 | 125NQ015 | Schottky | D-67 하프 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 390 mV @ 120 a | 40 ma @ 15 v | 120a | 7700pf @ 5V, 1MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)