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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SB150 Diotec Semiconductor SB150 0.0618
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-SB150TR 8541.10.0000 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
KYZ25A3 Diotec Semiconductor KYZ25A3 1.6642
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KyZ25A3 8541.10.0000 500 짐 300 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 300 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
1N5393-AQ Diotec Semiconductor 1N5393-Aq 0.1252
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-1n5393-aqtr 8541.10.0000 4,000 짐 200 v 1.3 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
ZPY120 Diotec Semiconductor ZPY120 0.0986
RFQ
 ECAD 5164 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpy120tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 60 v 120 v 80 옴
ZMD15B Diotec Semiconductor ZMD15B 0.1011
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd15btr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 10 v 15 v 11 옴
BZT52B5V1-AQ Diotec Semiconductor BZT52B5V1-AQ 0.0434
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZT52B5V1-AQTR 8541.10.0000 12,000 2 µa @ 1 v 5.1 v 80 옴
ZMC39 Diotec Semiconductor ZMC39 0.0442
RFQ
 ECAD 3443 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc39tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 30 v 39 v 90 옴
KYW25A2 Diotec Semiconductor KYW25A2 2.0056
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYW25A2 8541.10.0000 500 짐 200 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
FR1J-AQ Diotec Semiconductor FR1J-AQ 0.0539
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA/DO-214AC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 2796-FR1J-AQTR 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
B250FD Diotec Semiconductor B250FD 1.0866
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) 기준 DFM 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B250FD 8541.10.0000 750 1.3 v @ 1 a 5 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
BZX84C13 Diotec Semiconductor BZX84C13 0.0301
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BZX84C13TR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
GL1B Diotec Semiconductor Gl1b 0.0347
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-GL1BTR 8541.10.0000 2,500 짐 100 v 1.2 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ZY8.2 Diotec Semiconductor zy8.2 0.0986
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796- 지 8.2tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 3.5 v 8.2 v 1 옴
BYW27-1000-CT Diotec Semiconductor BYW27-1000-CT 0.4083
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 BYW27 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-BYW27-1000-CT 8541.10.0000 25 짐 1000 v 1.3 v @ 1 a 1.5 µs 200 na @ 1 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ZY200 Diotec Semiconductor ZY200 0.0986
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy200tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 90 v 200 v 150 옴
BY880-600-CT Diotec Semiconductor BY880-600-CT 0.5768
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 by880 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-by880-600-ct 8541.10.0000 12 짐 600 v 1.1 v @ 8 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 8a -
SM5062 Diotec Semiconductor sm5062 0.0810
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SM5062TR 8541.10.0000 5,000 짐 800 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 2A -
BZT52C9V1 Diotec Semiconductor BZT52C9V1 0.0304
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C9V1TR 8541.10.0000 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 30 옴
SDB160WS-AQ Diotec Semiconductor SDB160WS-AQ 0.1054
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323HE 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-SDB160WS-AQTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 38pf @ 10V, 1MHz
ZMD24B Diotec Semiconductor ZMD24B 0.1011
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd24btr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 16 v 24 v 28 옴
AL1M-CT Diotec Semiconductor al1m-ct 0.4700
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AA 눈사태 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-AL1M-CT 8541.10.0000 30 짐 1000 v 1.3 v @ 1 a 1.5 µs 3 µa @ 1 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
SM3000 Diotec Semiconductor sm3000 0.2596
RFQ
 ECAD 5629 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-SM3000TR 8541.10.0000 5,000 짐 3000 v 2.5 V @ 1 µA 1.5 µs 5 a @ 3 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BY299 Diotec Semiconductor by299 0.0881
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by299tr 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
S2B-CT Diotec Semiconductor S2B-CT 0.3449
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2B 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S2B-CT 8541.10.0000 15 짐 100 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
SK36SMA-3G Diotec Semiconductor SK36SMA-3G 0.1103
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK36 Schottky DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK36SMA-3GTR 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 550 mV @ 3 a 50 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
ER2A Diotec Semiconductor ER2A 0.1108
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-er2atr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZX84C47-AQ Diotec Semiconductor BZX84C47-AQ 0.0333
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84C47-AQTR 8541.10.0000 3,000 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
3EZ120 Diotec Semiconductor 3EZ120 0.0995
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ120TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 60 v 120 v 80 옴
1N5394 Diotec Semiconductor 1N5394 0.0331
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-1n5394tr 8541.10.0000 4,000 짐 300 v 1.3 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 300 v -50 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
SMS190 Diotec Semiconductor SMS190 0.1201
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF Schottky Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMS190TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 790 MV @ 1 a 500 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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