SIC
close

다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
P2000DTL-CT Diotec Semiconductor P2000DTL-CT 3.0438
RFQ
 ECAD 2289 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P2000D 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-P2000DTL-CT 8541.10.0000 12 짐 200 v 1.1 v @ 20 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 20A -
SMZ150 Diotec Semiconductor SMZ150 0.0772
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ150TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 75 v 150 v 100 옴
BAS316WS-AQ Diotec Semiconductor BAS316WS-AQ 0.0252
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAS316 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BAS316WS-AQTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
KYW35K4 Diotec Semiconductor KYW35K4 2.0875
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-Kyw35K4 8541.10.0000 500 짐 400 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
ERL1J Diotec Semiconductor erl1j 0.0846
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-erl1jtr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZPY130 Diotec Semiconductor ZPY130 0.0986
RFQ
 ECAD 5249 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpy130tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 60 v 130 v 90 옴
SBCT1060 Diotec Semiconductor SBCT1060 0.6450
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SBCT1060 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 700 mv @ 5 a 300 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C
P2000KTL Diotec Semiconductor P2000KTL 1.0480
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P2000KTLTR 8541.10.0000 1,000 짐 800 v 1.1 v @ 20 a 1.5 µs 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 20A -
FT2000AD Diotec Semiconductor FT2000AD -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-FT2000AD 8541.10.0000 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 960 MV @ 20 a 200 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
ZPD16B Diotec Semiconductor ZPD16B 0.0225
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpd16btr 8541.10.0000 10,000 100 na @ 12 v 16 v 13 옴
3EZ11 Diotec Semiconductor 3EZ11 0.0995
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ11tr 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 5 v 11 v 4 옴
3EZ1 Diotec Semiconductor 3EZ1 0.2252
RFQ
 ECAD 7577 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-3EZ1TR 8541.10.0000 4,000 1 v 0.5 옴
FR2A Diotec Semiconductor fr2a 0.4768
RFQ
 ECAD 9301 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-fr2atr 8541.10.0000 750 50 v 150 ns 2A
ZMY68B Diotec Semiconductor zmy68b 0.0913
RFQ
 ECAD 7484 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-zmy68btr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 34 v 68 v 25 옴
ZPD4.3 Diotec Semiconductor ZPD4.3 0.0211
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpd4.3tr 8541.10.0000 10,000 4.3 v 70 옴
FR3J Diotec Semiconductor FR3J 0.1702
RFQ
 ECAD 1006 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FR3JTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 250 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
Z3SMC100 Diotec Semiconductor Z3SMC100 0.2393
RFQ
 ECAD 9770 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC100TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 50 v 100 v 60 옴
SM5401-CT Diotec Semiconductor SM5401-CT 0.3190
RFQ
 ECAD 9016 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF SM5401 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-SM5401-CT 8541.10.0000 30 짐 100 v 1.2 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 3A -
ES1J-AQ Diotec Semiconductor es1j-aq 0.1434
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-es1j-aqtr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
SBCT1020 Diotec Semiconductor SBCT1020 0.6450
RFQ
 ECAD 9885 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SBCT1020 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 5a 550 mV @ 5 a 300 µa @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C
ER1K Diotec Semiconductor ER1K 0.0721
RFQ
 ECAD 7943 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-er1ktr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZMD82 Diotec Semiconductor ZMD82 0.0802
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd82tr 8541.10.0000 2,500 500 NA @ 54 v 82 v 100 옴
RGL1M Diotec Semiconductor RGL1M 0.0886
RFQ
 ECAD 302 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-RGL1MTR 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
MM5Z8V2B Diotec Semiconductor MM5Z8V2B 0.0423
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm5z8v2btr 8541.10.0000 4,000 500 na @ 5 v 8.2 v 30 옴
S1X-CT Diotec Semiconductor S1X-CT 0.3668
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S1X-CT 8541.10.0000 30 짐 1800 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1.8 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
SM5817 Diotec Semiconductor SM5817 0.1057
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF Schottky Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SM5817TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 750 mV @ 3 a 1 ma @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZMD20 Diotec Semiconductor ZMD20 0.0802
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd20tr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 13 v 20 v 20 옴
Z1SMA100 Diotec Semiconductor Z1SMA100 0.0919
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z1SMA100tr 8541.10.0000 7,500 1 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
ZMM68R13 Diotec Semiconductor ZMM68R13 0.0415
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMM68R13TR 8541.10.0000 10,000 100 na @ 51 v 68 v 200 옴
SK2040YD2R Diotec Semiconductor SK2040YD2R 0.5436
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SK2040YD2RTR 8541.10.0000 24,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 580 mV @ 20 a 200 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다