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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
FR2XSMA Diotec Semiconductor FR2XSMA 0.1702
RFQ
 ECAD 6077 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FR2XSMATR 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1800 v 1.8 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 1800 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
MM5Z36 Diotec Semiconductor MM5Z36 0.0333
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm5z36tr 8541.10.0000 4,000 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
B80S15A Diotec Semiconductor B80S15A 0.1203
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B80S15AT 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 160 v 1.5 a 단일 단일 160 v
MM5Z11 Diotec Semiconductor MM5Z11 0.0333
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm5z11tr 8541.10.0000 4,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
FR3K Diotec Semiconductor FR3K 0.1715
RFQ
 ECAD 5463 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FR3KTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
MM1Z4690 Diotec Semiconductor MM1Z4690 0.0404
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm1z469tr 8541.10.0000 24,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 4 v 5.6 v
BZT52B15 Diotec Semiconductor BZT52B15 0.0355
RFQ
 ECAD 7425 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52B15TR 8541.10.0000 12,000 100 na @ 10 v 15 v 42 옴
GBI40W Diotec Semiconductor GBI40W 3.8214
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI40W 8541.10.0000 500 1.1 v @ 20 a 5 µa @ 1600 v 6 a 단일 단일 1.6kV
SMZ8.2 Diotec Semiconductor smz8.2 0.1133
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ8.2TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 3.5 v 8.2 v 1 옴
Z3SMC36 Diotec Semiconductor Z3SMC36 0.2393
RFQ
 ECAD 9092 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC36TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 17 v 36 v 16 옴
ZMM11 Diotec Semiconductor ZMM11 0.0257
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm11tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
FR3D Diotec Semiconductor FR3D 0.1612
RFQ
 ECAD 5038 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-FR3DTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
B40C5000A Diotec Semiconductor B40C5000A 1.3805
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-B40C5000A 8541.10.0000 500 1 V @ 5 a 5 µa @ 80 v 4 a 단일 단일 80 v
SK34SMB-AQ Diotec Semiconductor SK34SMB-AQ 0.1940
RFQ
 ECAD 3936 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK34 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK34SMB-AQTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1YL Diotec Semiconductor S1YL 0.0556
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S1YLTR 8541.10.0000 7,500 짐 2000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 2000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZMD16 Diotec Semiconductor ZMD16 0.0802
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd16tr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 11 v 16 v 13 옴
BZT52B18 Diotec Semiconductor BZT52B18 0.0355
RFQ
 ECAD 5220 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52B18TR 8541.10.0000 12,000 100 na @ 12 v 18 v 65 옴
SK34SMA-3G-AQ Diotec Semiconductor SK34SMA-3G-AQ 0.1276
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SK34 Schottky DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK34SMA-3G-AQTR 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 50 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
SMZ75 Diotec Semiconductor SMZ75 0.0772
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ75TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 34 v 75 v 30 옴
KBPC10/15/2514FP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2514FP 2.6569
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC FP 기준 KBPC FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC10/15/2514FP 8541.10.0000 240 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 1400 v 25 a 단일 단일 1.4kV
KBPC10/15/2516WP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2516WP 2.6534
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC10/15/2516WP 8541.10.0000 160 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 1600 v 25 a 단일 단일 1.6kV
SI-E8000-4 Diotec Semiconductor SI-E8000-4 200.0300
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SI-E8000-4 8541.10.0000 1 짐 24000 v 12 V @ 4 a 1.5 µs 5 µa @ 24000 v -50 ° C ~ 150 ° C 4a -
KBPC3516FP Diotec Semiconductor KBPC3516FP 3.4485
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC35 기준 KBPC35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3516FP 8541.10.0000 240 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1600 v 35 a 단일 단일 1.6kV
KYZ35A2 Diotec Semiconductor KYZ35A2 1.8521
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KyZ35A2 8541.10.0000 500 짐 200 v 1.1 v @ 35 a 1.5 µs 100 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
GBS4B Diotec Semiconductor GBS4B 0.9390
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-GBS4B 8541.10.0000 500 1.05 V @ 2 a 5 µa @ 100 v 2.3 a 단일 단일 100 v
GBU6D-T Diotec Semiconductor gbu6d-t 0.3371
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU6D-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 6 a 5 µa @ 200 v 4.2 a 단일 단일 200 v
KBPC10/15/2506WP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2506WP 2.5227
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC10/15/2506WP 8541.10.0000 160 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
GBU12D-T Diotec Semiconductor GBU12D-T 1.5875
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU12D-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 12 a 5 µa @ 200 v 8.4 a 단일 단일 200 v
DBI25-18A Diotec Semiconductor DBI25-18A 7.9601
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 5-sip 기준 DBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DBI25-18A 8541.10.0000 15 1.05 V @ 12.5 a 5 µa @ 1800 v 40 a 3 단계 1.8 kV
SB590 Diotec Semiconductor SB590 0.2379
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 Schottky Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB590TR 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 790 MV @ 5 a 500 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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