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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SM4007 Diotec Semiconductor SM4007 0.0550
RFQ
 ECAD 1389 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-SM4007tr2 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ES3JSMB Diotec Semiconductor es3jsmb 0.3130
RFQ
 ECAD 7763 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-es3jsmbtr 8541.10.0000 48,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 30 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
Z2SMB62 Diotec Semiconductor Z2SMB62 0.2149
RFQ
 ECAD 7493 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z2SMB62TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 28 v 62 v 25 옴
SB1100S Diotec Semiconductor SB1100S 0.0477
RFQ
 ECAD 8807 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 Schottky DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-sb1100str 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 1 ma @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZX84B16 Diotec Semiconductor BZX84B16 0.0355
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84B16TR 8541.10.0000 3,000 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
ZY15 Diotec Semiconductor ZY15 -
RFQ
 ECAD 6339 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy15tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 10 v 15 v 5 옴
ES2CSMA Diotec Semiconductor ES2CSMA 0.1607
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-es2csmatr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 2 a 20 ns 3 µa @ 150 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52B3V9 Diotec Semiconductor BZT52B3V9 0.0355
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52B3V9TR 8541.10.0000 12,000 10 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
Z1SMA36 Diotec Semiconductor Z1SMA36 -
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z1SMA36TR 8541.10.0000 7,500 1 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
Z3SMC160 Diotec Semiconductor Z3SMC160 0.2393
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC160TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 75 v 160 v 110 옴
UST1B Diotec Semiconductor UST1B 0.0331
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ust1btr 8541.10.0000 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
UF600J Diotec Semiconductor UF600J 1.4705
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-UF600JTR 8541.10.0000 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 100 ns 10 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 6A -
SK25 Diotec Semiconductor SK25 0.0648
RFQ
 ECAD 8835 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sk25tr 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 2 a 500 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
3EZ91 Diotec Semiconductor 3EZ91 0.0995
RFQ
 ECAD 8325 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ91TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 41 v 91 v 40
SB150 Diotec Semiconductor SB150 0.0618
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-SB150TR 8541.10.0000 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
KYZ25A3 Diotec Semiconductor KYZ25A3 1.6642
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KyZ25A3 8541.10.0000 500 짐 300 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 300 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
ZMD15B Diotec Semiconductor ZMD15B 0.1011
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd15btr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 10 v 15 v 11 옴
ZMC39 Diotec Semiconductor ZMC39 0.0442
RFQ
 ECAD 3443 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc39tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 30 v 39 v 90 옴
KYW25A2 Diotec Semiconductor KYW25A2 2.0056
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-KYW25A2 8541.10.0000 500 짐 200 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
FR1J-AQ Diotec Semiconductor FR1J-AQ 0.0539
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA/DO-214AC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 2796-FR1J-AQTR 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
B250FD Diotec Semiconductor B250FD 1.0866
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) 기준 DFM 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B250FD 8541.10.0000 750 1.3 v @ 1 a 5 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
BZX84C13 Diotec Semiconductor BZX84C13 0.0301
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BZX84C13TR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
GL1B Diotec Semiconductor Gl1b 0.0347
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-GL1BTR 8541.10.0000 2,500 짐 100 v 1.2 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ZY8.2 Diotec Semiconductor zy8.2 0.0986
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796- 지 8.2tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 3.5 v 8.2 v 1 옴
ZY200 Diotec Semiconductor ZY200 0.0986
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy200tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 90 v 200 v 150 옴
BY880-600-CT Diotec Semiconductor BY880-600-CT 0.5768
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 by880 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-by880-600-ct 8541.10.0000 12 짐 600 v 1.1 v @ 8 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 8a -
BZT52C9V1 Diotec Semiconductor BZT52C9V1 0.0304
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C9V1TR 8541.10.0000 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 30 옴
SDB160WS-AQ Diotec Semiconductor SDB160WS-AQ 0.1054
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323HE 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-SDB160WS-AQTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 38pf @ 10V, 1MHz
ZMD24B Diotec Semiconductor ZMD24B 0.1011
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd24btr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 16 v 24 v 28 옴
AL1M-CT Diotec Semiconductor al1m-ct 0.4700
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AA 눈사태 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-AL1M-CT 8541.10.0000 30 짐 1000 v 1.3 v @ 1 a 1.5 µs 3 µa @ 1 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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