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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SMZ68 Diotec Semiconductor smz68 0.0772
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ68TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 34 v 68 v 25 옴
FRL1K Diotec Semiconductor frl1k 0.3689
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-FRL1KTR 8541.10.0000 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
SMS150 Diotec Semiconductor SMS150 0.0997
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF Schottky Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMS150TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
Z1SMA43 Diotec Semiconductor Z1SMA43 0.0919
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z1SMA43TR 8541.10.0000 7,500 1 v @ 200 ma 1 µa @ 32 v 43 v 60 옴
BYP25K2 Diotec Semiconductor byp25k2 1.0184
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 맞는를 누르십시오 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BYP25K2TR 8541.10.0000 12,000 짐 200 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 200 v -50 ° C ~ 215 ° C 25A -
KBPC3508I Diotec Semiconductor KBPC3508I 3.5642
RFQ
 ECAD 6454 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPC 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3508I 8541.10.0000 240 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 800 v 35 a 단일 단일 800 v
ER1J Diotec Semiconductor ER1J 0.0705
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-er1jtr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
MM5Z18B Diotec Semiconductor MM5Z18B 0.2761
RFQ
 ECAD 2972 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.10.0012 4,000 100 na @ 13 v 18 v 65 옴
MM1Z4750A Diotec Semiconductor MM1Z4750A 0.1033
RFQ
 ECAD 6805 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 1 W. SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM1Z4750AT 8541.10.0000 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 21 v 27 v 35 옴
BAT54AW Diotec Semiconductor Bat54aw 0.3718
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-BAT54AWTR 8541.10.0000 750 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 3 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAW56W Diotec Semiconductor baw56w 0.0477
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 baw56 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
PPL1550 Diotec Semiconductor PPL1550 0.5661
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ppl1550tr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 520 MV @ 15 a 150 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
EAL1K Diotec Semiconductor eal1k 0.0997
RFQ
 ECAD 7412 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 눈사태 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-eal1ktr 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.8 V @ 1 a 75 ns 3 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
BAS31R13 Diotec Semiconductor BAS31R13 0.0436
RFQ
 ECAD 430 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS31 기준 SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 90 v 200ma 1 v @ 200 ma 50 ns 100 na @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
FX2000G Diotec Semiconductor FX2000G 0.7664
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-FX2000GTR 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 940 mV @ 20 a 200 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
MM5Z15-AQ Diotec Semiconductor MM5Z15-AQ 0.0390
RFQ
 ECAD 2198 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MM5Z15-AQTR 8541.10.0000 4,000 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BAV199W Diotec Semiconductor BAV199W 0.0358
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAV199 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 3,000 짐 1 연결 연결 시리즈 85 v 160ma 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAV70W Diotec Semiconductor bav70w 0.0314
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav70 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 75 v 175ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 5 µa @ 75 v 150 ° C (°)
SB1260 Diotec Semiconductor SB1260 0.4656
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 Schottky 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB126TR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 mV @ 12 a 500 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 12a -
Z3SMC16 Diotec Semiconductor Z3SMC16 0.2393
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC16TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 10 v 16 v 6 옴
S1A-CT Diotec Semiconductor S1A-CT 0.1587
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S1A-CT 8541.10.0000 30 짐 50 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N4934 Diotec Semiconductor 1N4934 0.0312
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-1n4934tr 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
LL4448 Diotec Semiconductor LL4448 0.0171
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 기준 SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -50 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
ZMM43B Diotec Semiconductor ZMM43B 0.0358
RFQ
 ECAD 5311 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm43btr 8541.10.0000 2,500 1 µa @ 1 v 43 v 75 옴
ZMC33B Diotec Semiconductor ZMC33B 0.0688
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMC33BTR 8541.10.0000 2,500 100 na @ 24 v 33 v 80 옴
PT800A-CT Diotec Semiconductor PT800A-CT 1.2230
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 PT800A 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-PT800A-CT 8541.10.0000 50 짐 50 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
SD103CW Diotec Semiconductor SD103CW 0.0360
RFQ
 ECAD 6464 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-SD103CWTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 16 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 10 v -55 ° C ~ 125 ° C 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
Z3SMC24 Diotec Semiconductor Z3SMC24 0.2393
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC24TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 12 v 24 v 7 옴
SZ3C180 Diotec Semiconductor SZ3C180 0.1133
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SZ3C18TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 90 v 180 v 120 옴
BY550-200-CT Diotec Semiconductor BY550-200-CT 0.2436
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 550 년 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-by550-200-ct 8541.10.0000 12 짐 200 v 1 V @ 5 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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