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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
3EZ75 Diotec Semiconductor 3EZ75 0.0995
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ75TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 34 v 75 v 30 옴
SZ3C6.8 Diotec Semiconductor SZ3C6.8 0.1504
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SZ3C6.8tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 2 v 6.8 v 1 옴
ZMM18B Diotec Semiconductor ZMM18B 0.0358
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmm18btr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 13 v 18 v 50 옴
BZX84C15 Diotec Semiconductor BZX84C15 0.0301
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BZX84C15TR 8541.10.0000 3,000 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
MM3Z6B8-AQ Diotec Semiconductor MM3Z6B8-AQ 0.0374
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z6B8-AQTR 8541.10.0000 3,000 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 30 옴
BZX84B4V7-AQ Diotec Semiconductor BZX84B4V7-AQ 0.0390
RFQ
 ECAD 3891 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84B4V7-AQTR 8541.10.0000 3,000 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
SB840 Diotec Semiconductor SB840 0.3306
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 Schottky Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB840TR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
RGL1K Diotec Semiconductor RGL1K 0.0846
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-rgl1ktr 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
S2B Diotec Semiconductor S2B 0.0450
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-S2BTR 8541.10.0000 3,000 짐 100 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
BYP25K4 Diotec Semiconductor byp25k4 1.0184
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 맞는를 누르십시오 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BYP25K4TR 8541.10.0000 12,000 짐 400 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 400 v -50 ° C ~ 215 ° C 25A -
S16GSD2-CT Diotec Semiconductor S16GSD2-CT 2.3502
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB S16GSD2 기준 TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S16GSD2-CT 8541.10.0000 50 짐 400 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C
ZPD9B1 Diotec Semiconductor ZPD9B1 0.0225
RFQ
 ECAD 8174 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpd9b1tr 8541.10.0000 10,000 100 na @ 7 v 9.1 v 5 옴
M7-CT Diotec Semiconductor M7-CT 0.2408
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-M7-CT 8541.10.0000 30 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
S2W-CT Diotec Semiconductor S2W-CT 0.6125
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S2W-CT 귀 99 8541.10.0080 15 짐 1600 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 5 µa @ 1.6 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
P1200B Diotec Semiconductor P1200B 0.4675
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P1200BTR 8541.10.0000 1,000 짐 100 v 950 MV @ 12 a 10 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 12a -
ZMC43 Diotec Semiconductor ZMC43 0.0442
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMC43TR 8541.10.0000 2,500 100 na @ 33 v 43 v 100 옴
1N4004GP Diotec Semiconductor 1N4004GP -
RFQ
 ECAD 6603 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-1N4004GPTR 8541.10.0000 1 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
Z3SMC47 Diotec Semiconductor Z3SMC47 0.2393
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC47TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 24 v 47 v 24 옴
BZT52B3V0-AQ Diotec Semiconductor BZT52B3V0-AQ 0.0436
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BZT52B3V0-AQTR 8541.10.0000 3,000 120 µa @ 1 v 3 v 120 옴
BZT52B2V4 Diotec Semiconductor BZT52B2V4 0.3648
RFQ
 ECAD 4685 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZT52B2V4TR 8541.10.0000 12,000 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
1N5388B Diotec Semiconductor 1N5388B 0.2073
RFQ
 ECAD 9528 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 5 w Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-1n5388btr 8541.10.0000 1,700 500 NA @ 152 v 200 v 480 옴
MM5Z27 Diotec Semiconductor MM5Z27 0.0333
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mm5z27tr 8541.10.0000 4,000 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
US1D Diotec Semiconductor US1D 0.0645
RFQ
 ECAD 907 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-US1DTR 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
DB25-01 Diotec Semiconductor DB25-01 4.3940
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5 3, DB-35 기준 DB-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DB25-01 8541.10.0000 50 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 100 v 25 a 3 단계 100 v
BY448G Diotec Semiconductor by448g 0.0959
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 diotec 반도체 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-by448g 8541.10.0000 1,700 1650 v 1.5A
2CL71A Diotec Semiconductor 2CL71A 0.2512
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 축 기준 축 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-2CL71AT 8541.10.0000 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 8000 v 36 V @ 10 ma 80 ns 2 µa @ 8000 v -40 ° C ~ 120 ° C 5MA -
MMSZ5254B Diotec Semiconductor MMSZ5254B 0.0304
RFQ
 ECAD 1878 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-MMSZ5254BTR 8541.10.0000 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
Z2SMB9.1 Diotec Semiconductor Z2SMB9.1 0.2149
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z2SMB9.1TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 3.5 v 9.1 v 2 옴
SDB14HS-AQ Diotec Semiconductor SDB14HS-AQ 0.0753
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SDB14HS-AQTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 700 MA 40 µa @ 5 v -40 ° C ~ 125 ° C 1A 30pf @ 4V, 1MHz
1N5818 Diotec Semiconductor 1N5818 0.0618
RFQ
 ECAD 3523 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-1n5818tr 8541.10.0000 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 875 mv @ 3 a 1 ma @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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