전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SK2040YD2 | 0.5436 | ![]() | 3787 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SK2040YD2 | 8541.10.0000 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 580 mV @ 20 a | 200 µa @ 40 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | zmy5b1g | 0.1171 | ![]() | 1106 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 1 W. | Melf do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-ZMY5B1GTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 10 µa @ 700 mV | 5.1 v | 2 옴 | |||||||||||
![]() | UF4007 | 0.3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-41, 축 방향 | UF400 | 기준 | DO-41/DO-204AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 1000 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||
![]() | MM3Z13B-AQ | 0.0374 | ![]() | 2731 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-MM3Z13B-AQ | 8541.10.0000 | 3,000 | 100 na @ 10 v | 13 v | 35 옴 | ||||||||||||
![]() | ZMD13 | 0.0802 | ![]() | 2167 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1 W. | DO-213AA, 미니 마이프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-zmd13tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 500 na @ 9 v | 13 v | 9 옴 | ||||||||||||
![]() | MM3Z6V8-AQ | 0.0363 | ![]() | 6063 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-MM3Z6V8-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1 V @ 10 ma | 500 NA @ 3.5 v | 6.8 v | 15 옴 | |||||||||||
![]() | byg10d-ct | 0.1960 | ![]() | 9795 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | byg10d | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-BYG10D-CT | 8541.10.0000 | 30 | 짐 | 200 v | 1.15 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | |||||||
![]() | USL1G | 0.0992 | ![]() | 8537 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | 기준 | SOD-123F (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-USL1GTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.4 V @ 1 a | 50 ns | 1 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | Z3SMC10 | 0.2393 | ![]() | 5680 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 3 w | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-Z3SMC10TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1 µa @ 5 v | 10 v | 2 옴 | ||||||||||||
![]() | BZX84C33-AQ | 0.0333 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-BZX84C33-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 50 NA @ 23.1 v | 33 v | 80 옴 | ||||||||||||
![]() | BZT52C75 | 0.0550 | ![]() | 8411 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | 500MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-BZT52C75TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 200 na @ 57 v | 75 v | 300 옴 | ||||||||||||
![]() | BZT52C43 | 0.0304 | ![]() | 7020 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | 500MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-BZT52C43TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 2 µa @ 33 v | 43 v | 130 옴 | ||||||||||||
![]() | SGL1-40 | 0.0889 | ![]() | 87 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | Schottky | DO-213AA, 미니 마이프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SGL1-40TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | by16 | 2.7273 | ![]() | 4428 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | 축 | 기준 | 축 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-by16tr | 8541.10.0000 | 2,000 | 짐 | 16000 v | 15 v @ 300 ma | 1.5 µs | 1 µa @ 16000 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 300ma | - | |||||||||
![]() | MMSZ5257B | 0.0304 | ![]() | 15 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | 500MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-MMSZ5257BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 25 v | 5.1 v | 58 옴 | ||||||||||
![]() | egl1d | 0.0705 | ![]() | 362 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | 기준 | DO-213AA, 미니 마이프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-egl1dtr | 8541.10.0000 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | ZY24 | 0.0986 | ![]() | 385 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-41, 축 방향 | 2 w | DO-41/DO-204AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-zy24tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 12 v | 24 v | 7 옴 | ||||||||||||
![]() | KYW35A05 | 1.9341 | ![]() | 9734 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 상자 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-208AA | 기준 | DO-208 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-KYW35A05 | 8541.10.0000 | 500 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 35 a | 100 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||||
![]() | ZMC2.7 | 0.0442 | ![]() | 8083 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-zmc2.7tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 10 µa @ 1 v | 2.7 v | 85 옴 | ||||||||||||
![]() | SUF4001 | 0.0631 | ![]() | 110 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 기준 | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2721-SUF4001TR2 | 8541.10.0000 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | zy11 | 0.0986 | ![]() | 5477 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-41, 축 방향 | 2 w | DO-41/DO-204AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-zy11tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 5 v | 11 v | 4 옴 | ||||||||||||
![]() | SB120 | 0.0602 | ![]() | 4 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | Schottky | DO15/DO204AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2796-SB120tr | 8541.10.0000 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 20 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | ZY100 | 0.0986 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-41, 축 방향 | 2 w | DO-41/DO-204AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-zy100tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 50 v | 100 v | 60 옴 | ||||||||||||
![]() | SBT1090 | 0.5032 | ![]() | 4093 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-SBT1090 | 8541.10.0000 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 90 v | 850 mv @ 10 a | 300 µa @ 90 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | BZTW52C5V6 | 0.0244 | ![]() | 1248 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-BZTW52C5V6TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 40 | ||||||||||||
![]() | ZMM39B | 0.0358 | ![]() | 2462 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-ZMM39BTR | 8541.10.0000 | 2,500 | 2 µa @ 1 v | 39 v | 85 옴 | ||||||||||||
![]() | BZX84B36 | 0.0355 | ![]() | 1633 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-BZX84B36TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 50 NA @ 25.1 v | 36 v | 90 옴 | |||||||||||
![]() | ZMY82 | 0.0764 | ![]() | 8955 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 1.3 w | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-ZMY82TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 41 v | 82 v | 30 옴 | ||||||||||||
![]() | SA158 | 0.0678 | ![]() | 8568 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 기준 | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SA158tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 300 ns | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | SM4005-CT | 0.2444 | ![]() | 4 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | SM4005 | 기준 | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-SM4005-CT | 8541.10.0000 | 30 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고