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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MM5Z18B-AQ Diotec Semiconductor MM5Z18B-AQ 0.0477
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM5Z18B-AQTR 8541.10.0000 4,000 100 na @ 13 v 18 v 65 옴
MM5Z3V9 Diotec Semiconductor MM5Z3V9 0.2877
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.10.0000 4,000 3 µa @ 1 v 3.9 v 85 옴
SK56-AQ Diotec Semiconductor SK56-AQ 0.2504
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK56-AQTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 680 mV @ 5 a 200 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a -
Z2SMB16 Diotec Semiconductor Z2SMB16 0.2149
RFQ
 ECAD 6287 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z2SMB16TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 10 v 16 v 6 옴
ZMD82B Diotec Semiconductor ZMD82B 0.1011
RFQ
 ECAD 7748 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd82btr 8541.10.0000 2,500 500 NA @ 54 v 82 v 100 옴
ZMC24 Diotec Semiconductor ZMC24 0.0442
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc24tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 18 v 24 v 70 옴
1N4004GP-AQ Diotec Semiconductor 1N4004GP-AQ 0.0417
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-1N4004GP-AQ 8541.10.0000 5,000 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
BYP60K6 Diotec Semiconductor byp60k6 1.2263
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-byp60k6tr 8541.10.0000 12,000 짐 600 v 1.1 v @ 60 a 1.5 µs 100 µa @ 600 v -50 ° C ~ 200 ° C 60a -
P2000A-CT Diotec Semiconductor P2000A-CT 2.2289
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P2000A 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-P2000A-CT 8541.10.0000 12 짐 50 v 1.1 v @ 20 a 1.5 µs 10 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZX84C16-AQ Diotec Semiconductor BZX84C16-AQ 0.0333
RFQ
 ECAD 8113 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84C16-AQTR 8541.10.0000 3,000 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
BZT52C3V6-AQ Diotec Semiconductor BZT52C3V6-AQ 0.0333
RFQ
 ECAD 3991 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-BZT52C3V6-AQTR 8541.10.0000 3,000 10 µa @ 1 v 3.6 v 130 옴
3EZ13 Diotec Semiconductor 3EZ13 0.0995
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3 w DO15/DO204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-3EZ13TR 8541.10.0000 4,000 1 µa @ 7 v 13 v 5 옴
P600D-CT Diotec Semiconductor P600D-CT 1.0392
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P600D 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-P600D-CT 8541.10.0000 12 짐 200 v 1.1 v @ 6 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 6A -
ZMY39 Diotec Semiconductor ZMY39 0.0764
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmy39tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 20 v 39 v 20 옴
MUR140 Diotec Semiconductor MUR140 0.0900
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-MUR140TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
SK310-AQ Diotec Semiconductor SK310-AQ 0.2371
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SK310 Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK310-AQTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 8 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
RA254 Diotec Semiconductor RA254 0.3717
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 라 기준 라 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-RA254tr 8541.10.0000 10,000 짐 400 v 1.1 v @ 80 a 1.5 µs 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 25A -
MM3Z15-AQ Diotec Semiconductor MM3Z15-AQ 0.0363
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z15-AQTR 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
USL1J Diotec Semiconductor USL1J -
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-USL1JTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 1 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
S16MSD2-CT Diotec Semiconductor S16MSD2-CT 2.3502
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB S16MSD2 기준 TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S16MSD2-CT 8541.10.0000 50 짐 1000 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 1 v -50 ° C ~ 150 ° C
S3M-AQ Diotec Semiconductor S3M-AQ 0.1623
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S3M-AQTR 8541.10.0000 3,000 짐 1000 v 1 V @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
S15GYD2 Diotec Semiconductor S15GYD2 0.6943
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 TO-263AB (D2PAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-S15GYD2 8541.10.0000 1,000 짐 400 v 1.3 V @ 15 a 1.5 µs 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
HV1.5 Diotec Semiconductor HV1.5 0.0873
RFQ
 ECAD 5295 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-HV1.5TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 3 v @ 500 ma 400 ns 3 µa @ 1500 v -50 ° C ~ 150 ° C 500ma -
ZMD11 Diotec Semiconductor ZMD11 0.0802
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd11tr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 7 v 11 v 6 옴
SK15 Diotec Semiconductor SK15 -
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC, SMA 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-sk15tr 귀 99 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZX84B3V3-AQ Diotec Semiconductor BZX84B3V3-AQ 0.0390
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZX84B3V3-AQTR 8541.10.0000 3,000 5 µa @ 1 v 3.3 v 85 옴
S8K Diotec Semiconductor S8K 0.2905
RFQ
 ECAD 7707 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-S8KTR 8541.10.0000 3,000 짐 800 v 980 MV @ 8 a 1.5 µs 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
GBU4B-T Diotec Semiconductor gbu4b-t 0.3087
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU4B-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 4 a 5 µa @ 100 v 2.8 a 단일 단일 100 v
SGL1-90 Diotec Semiconductor SGL1-90 0.0921
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA Schottky DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SGL1-90TR 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 820 MV @ 1 a 500 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
LL103BR13 Diotec Semiconductor LL103BR13 0.0393
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Schottky SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ll103BR13TR 8541.10.0000 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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