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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
Z2SMB91 Diotec Semiconductor Z2SMB91 0.2149
RFQ
 ECAD 5010 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z2SMB91TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 41 v 91 v 40
M6-CT Diotec Semiconductor M6-CT 0.1334
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-M6-CT 8541.10.0000 30 짐 800 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
S1D-CT Diotec Semiconductor S1D-CT 0.2412
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S1D-CT 8541.10.0000 30 짐 200 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BYP60A1 Diotec Semiconductor BYP60A1 1.2263
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-byp60a1tr 8541.10.0000 12,000 짐 100 v 1.1 v @ 60 a 1.5 µs 100 @ 100 v -50 ° C ~ 200 ° C 60a -
Z1SMA12 Diotec Semiconductor Z1SMA12 0.0919
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z1SMA12TR 8541.10.0000 7,500 1 v @ 200 ma 1 µa @ 7 v 12 v 7 옴
SMS320 Diotec Semiconductor SMS320 0.1398
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF Schottky Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMS320TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
ZPY12 Diotec Semiconductor ZPY12 0.0986
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-ZPY12TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 7 v 12 v 4 옴
SK1H10 Diotec Semiconductor SK1H10 0.0724
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sk1h10tr 8541.10.0000 200,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 1 a 4 µa @ 100 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
BY254 Diotec Semiconductor by254 0.0778
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by254tr 8541.10.0000 1,700 짐 800 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
MM3Z5B1 Diotec Semiconductor MM3Z5B1 0.0317
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z5b1tr 8541.10.0000 3,000 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 130 옴
SZ3C62 Diotec Semiconductor SZ3C62 0.1133
RFQ
 ECAD 8787 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sz3c62tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 28 v 62 v 25 옴
2BZX84C4V7 Diotec Semiconductor 2BZX84C4V7 0.0363
RFQ
 ECAD 3346 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-2bzx84c4v7tr 8541.10.0000 3,000 1 양극 양극 공통 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BY550-600-CT Diotec Semiconductor BY550-600-CT 1.0231
RFQ
 ECAD 316 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 550 년 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-by550-600-ct 8541.10.0000 12 짐 600 v 1 V @ 5 a 1.5 µs 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a -
ZMM2.7R13 Diotec Semiconductor ZMM2.7R13 0.0304
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMM2.7R13TR 8541.10.0000 10,000 10 µa @ 1 v 2.7 v 85 옴
GL1A-CT Diotec Semiconductor GL1A-CT 0.2412
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-GL1A-CT 8541.10.0000 30 짐 50 v 1.2 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
SL1M Diotec Semiconductor sl1m 0.0184
RFQ
 ECAD 2556 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SL1MTR 8541.10.0000 3,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1 µs 1 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
P2000ATL-CT Diotec Semiconductor P2000ATL-CT 3.0021
RFQ
 ECAD 5457 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P2000A 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-P2000ATL-CT 8541.10.0000 12 짐 50 v 1.1 v @ 20 a 1.5 µs 10 µa @ 5 v -50 ° C ~ 175 ° C 20A -
S2A-CT Diotec Semiconductor S2A-CT 0.2017
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2A 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-S2A-CT 8541.10.0000 15 짐 50 v 1.15 V @ 2 a 1.5 µs 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
ZPY47 Diotec Semiconductor ZPY47 0.0986
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpy47tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 24 v 47 v 24 옴
ZMC7B5 Diotec Semiconductor ZMC7B5 0.0688
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmc7b5tr 8541.10.0000 2,500 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
MM3Z12B Diotec Semiconductor MM3Z12B 0.0317
RFQ
 ECAD 6259 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mm3z12btr 8541.10.0000 3,000 100 na @ 9 v 12 v 35 옴
ES2ASMA Diotec Semiconductor es2asma 0.1607
RFQ
 ECAD 1438 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-es2asmatr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 900 mV @ 2 a 20 ns 3 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES2DSMA Diotec Semiconductor ES2DSMA 0.1607
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-es2dsmatr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 2 a 20 ns 3 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
P2500X Diotec Semiconductor P2500X 1.4341
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P2500 눈사태 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-P2500XTR 8541.10.0000 1,000 짐 1800 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 10 µa @ 1800 v -55 ° C ~ 175 ° C 25A -
1N5372B Diotec Semiconductor 1N5372B 0.2073
RFQ
 ECAD 9271 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 5 w Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-1n5372btr 8541.10.0000 1,700 500 NA @ 47.1 v 62 v 42 옴
ES3ASMB Diotec Semiconductor ES3ASMB 0.3534
RFQ
 ECAD 7454 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 8541.10.0000 48,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 900 mV @ 3 µA 25 ns 5 a @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
US2J Diotec Semiconductor US2J 0.1024
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-US2JTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
ZPD24B Diotec Semiconductor ZPD24B 0.0225
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpd24btr 8541.10.0000 10,000 100 na @ 18 v 24 v 28 옴
SK30100CD2-3G Diotec Semiconductor SK30100CD2-3G 1.1824
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SK30100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 850 mV @ 15 a 500 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C
ZMY68 Diotec Semiconductor ZMY68 0.0764
RFQ
 ECAD 7761 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmy68tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 34 v 68 v 25 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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