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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | SBX4045-3G | 1.0276 | ![]() | 2912 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | Schottky | P600 | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-SBX4045-3G | 8541.10.0000 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 550 mV @ 40 a | 110 µa @ 45 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 40a | - | |||||||||||
![]() | BYP60A4 | 1.2263 | ![]() | 1806 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 맞는를 누르십시오 | DO-208AA | 기준 | DO-208 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-BYP60A4TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 60 a | 1.5 µs | 100 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 200 ° C | 60a | - | |||||||||||
![]() | SL1A-CT | 0.2007 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | SL1A | 기준 | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-SL1A-CT | 8541.10.0000 | 30 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 1 a | 1 µs | 1 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | SD101BW | 0.0770 | ![]() | 6000 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | Schottky | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-SD101BWTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 950 mV @ 15 mA | 1 ns | 200 na @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 15MA | 2.1pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||
![]() | S1J | 0.2412 | ![]() | 7 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-S1JTR | 8541.10.0000 | 25 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | BZX84C5V1-AQ | 0.0333 | ![]() | 1399 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-BZX84C5V1-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | ||||||||||||||
![]() | BAV70W-AQ | 0.0366 | ![]() | 6956 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | bav70 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-BAV70W-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 75 v | 175ma | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µa @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | F1200B | 0.6022 | ![]() | 2 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | 기준 | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-F1200BTR | 8541.10.0000 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 910 MV @ 12 a | 200 ns | 5 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | |||||||||||
FR2J | 0.0946 | ![]() | 7818 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-FR2JTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 2 a | 250 ns | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||
![]() | MM1Z4741A | 0.1033 | ![]() | 6664 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | 1 W. | SOD-123F (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-MM1Z4741AT | 8541.10.0000 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 8 v | 11 v | 8 옴 | |||||||||||||
![]() | FR1J | 0.0241 | ![]() | 825 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC, SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-FR1JTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | ES3D-AQ | 0.3970 | ![]() | 4216 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 기준 | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-es3d-aqtr | 8541.10.0000 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | byp25k6 | 1.0184 | ![]() | 3352 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 맞는를 누르십시오 | DO-208AA | 기준 | DO-208 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-BYP25K6TR | 8541.10.0000 | 12,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 25 a | 1.5 µs | 100 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 215 ° C | 25A | - | |||||||||||
![]() | SB520 | 0.2298 | ![]() | 7300 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | Schottky | Do-201 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2796-SB520TR | 8541.10.0000 | 1,700 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 20 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 5a | - | |||||||||||
![]() | US1G | 0.0650 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC, SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-US1GTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | UF600M | 0.3474 | ![]() | 7630 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | 기준 | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-UF600MTR | 8541.10.0000 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 5 a | 100 ns | 10 µa @ 1000 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||
![]() | BAS40-05 | 0.0344 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-BAS40-05TR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 200ma | 1 v @ 40 ma | 5 ns | 10 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | BAS40-06 | 0.0344 | ![]() | 3748 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-BAS40-06TR | 8541.10.0000 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 40 v | 200ma | 1 v @ 40 ma | 5 ns | 10 µa @ 40 v | -50 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | SKM14 | 0.1003 | ![]() | 9054 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | Schottky | SOD-123F (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-skm14tr | 8541.10.0000 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 350 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | S16BSD2-CT | 2.3502 | ![]() | 5418 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | S16BSD2 | 기준 | TO-263AB (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-S16BSD2-CT | 8541.10.0000 | 50 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 8 a | 5 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | eal1a | 0.0753 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | 눈사태 | DO-213AA, 미니 마이프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-eal1atr | 8541.10.0000 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 3 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | srl1g | 0.0455 | ![]() | 8008 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ad | 기준 | do-219ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-srl1gtr | 8541.10.0000 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 1 µs | 1 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | BAV199W-AQ | 0.0691 | ![]() | 9602 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BAV199 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 8541.10.0000 | 3,000 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 85 v | 160ma | 1.25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 na @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | SM5407 | 0.1203 | ![]() | 5 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 기준 | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SM5407TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 짐 | 800 v | 1.2 v @ 3 a | 1.5 µs | 5 µa @ 800 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | byp60k3 | 1.2263 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 맞는를 누르십시오 | DO-208AA | 기준 | DO-208 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-byp60k3tr | 8541.10.0000 | 12,000 | 짐 | 300 v | 1.1 v @ 60 a | 1.5 µs | 100 µa @ 300 v | -50 ° C ~ 200 ° C | 60a | - | |||||||||||
![]() | S3G-AQ-CT | 0.6334 | ![]() | 5490 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S3G | 기준 | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-S3G-AQ-CT | 8541.10.0000 | 15 | 짐 | 400 v | 1 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | SA262 | 0.1818 | ![]() | 6524 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 기준 | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SA262TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1400 v | 1.8 V @ 2 a | 500 ns | 5 µa @ 1400 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | LL4448R13 | 0.0176 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4448 | 기준 | SOD-80C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 8541.10.0000 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 1 v @ 100 ma | 4 ns | 5 µa @ 75 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 150ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | S3J | 0.0705 | ![]() | 261 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 기준 | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-S3JTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 짐 | 600 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | MBR10200CT | 0.6585 | ![]() | 9170 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR10200 | Schottky | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2796-MBR10200CT | 8541.10.0000 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 5a | 840 mV @ 5 a | 5 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 175 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고