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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ZPD5B1 Diotec Semiconductor ZPD5B1 0.0225
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpd5b1tr 8541.10.0000 10,000 100 NA @ 800 MV 5.1 v 30 옴
GBU8B-T Diotec Semiconductor gbu8b-t 0.4087
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU8B-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 8 a 5 µa @ 100 v 5.6 a 단일 단일 100 v
MUR460L Diotec Semiconductor MUR460L 0.1211
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-MUR460LTR 8541.10.0000 1,700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.35 V @ 4 a 60 ns 10 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 4a -
GBU10A-T Diotec Semiconductor gbu10a-t 1.4897
RFQ
 ECAD 7288 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU10A-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 5 a 5 µa @ 50 v 7 a 단일 단일 50 v
GBU10M-T Diotec Semiconductor gbu10m-t 1.4897
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBU10M-T 8541.10.0000 1,000 1 V @ 5 a 5 µa @ 1000 v 7 a 단일 단일 1kv
ZY13 Diotec Semiconductor ZY13 0.0986
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy13tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 7 v 13 v 5 옴
GBI20J Diotec Semiconductor GBI20J 0.8583
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI20J 귀 99 8541.10.0000 500 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 600 v 3.6 a 단일 단일 600 v
KBPC3506I Diotec Semiconductor KBPC3506I 3.5642
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPC 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3506I 8541.10.0000 240 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
GBI35D Diotec Semiconductor GBI35D 1.3929
RFQ
 ECAD 4145 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI35D 8541.10.0000 500 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 200 v 5 a 단일 단일 200 v
KBPC3501WP Diotec Semiconductor KBPC3501WP 2.5983
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3501WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
KBPC3506WP Diotec Semiconductor KBPC3506WP 2.5983
RFQ
 ECAD 960 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3506WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
GBI10K Diotec Semiconductor GBI10K 0.6932
RFQ
 ECAD 2163 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI10K 8541.10.0000 500 1.1 v @ 5 a 5 µa @ 800 v 3 a 단일 단일 800 v
ZMC43 Diotec Semiconductor ZMC43 0.0442
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMC43TR 8541.10.0000 2,500 100 na @ 33 v 43 v 100 옴
SMZ24 Diotec Semiconductor SMZ24 0.0772
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ24TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 12 v 24 v 7 옴
B40S-SLIM Diotec Semiconductor B40S-SLIM 0.1228
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B40S-SLIMTR 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 80 v 1 a 단일 단일 80 v
ZMD51 Diotec Semiconductor ZMD51 0.0802
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd51tr 8541.10.0000 2,500 500 NA @ 34 v 51 v 70 옴
B40S2A-SLIM Diotec Semiconductor B40S2A-Slim 0.1566
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 to-269aa 9 딜 슬림 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B40S2A-SLIMTR 8541.10.0000 1,500 950 MV @ 2 a 5 µa @ 80 v 2.3 a 단일 단일 80 v
SMZ27 Diotec Semiconductor SMZ27 0.0772
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ27TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 14 v 27 v 7 옴
MMSZ5258B Diotec Semiconductor MMSZ5258B 0.0304
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMSZ5258BTR 8541.10.0000 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 70 옴
S380 Diotec Semiconductor S380 0.1322
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 to-269aa 9 딜 슬림 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S380TR 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 800 v 800 MA 단일 단일 800 v
SFE1B Diotec Semiconductor sfe1b 0.0802
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SFE1BTR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
B380FS Diotec Semiconductor B380F 0.1851
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B380FSTR 8541.10.0000 1,500 1.3 v @ 1 a 5 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
SUF4004 Diotec Semiconductor SUF4004 0.0745
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2721-SUF4004TR2 귀 99 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
S40-THICK Diotec Semiconductor S40 두께 0.1190
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 to-269aa 9 딜 슬림 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S40-Thicktr 8541.10.0000 3,000 1.1 v @ 800 ma 5 µa @ 80 v 800 MA 단일 단일 80 v
MYS380 Diotec Semiconductor MyS380 0.1710
RFQ
 ECAD 7073 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mys380tr 8541.10.0000 4,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 800 v 500 MA 단일 단일 800 v
S3KSMB Diotec Semiconductor S3KSMB 0.0539
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S3KSMBTR 8541.10.0000 3,000 짐 800 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
B380S-SLIM Diotec Semiconductor B380S-SLIM 0.1228
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 기준 4- SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-B380S-SLIMTR 8541.10.0000 1,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
ER1A Diotec Semiconductor er1a 0.0661
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-er1atr 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
Z3SMC9.1 Diotec Semiconductor Z3SMC9.1 0.2393
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 3 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-Z3SMC9.1TR 8541.10.0000 3,000 1 µa @ 3.5 v 9.1 v 2 옴
SDB160WS Diotec Semiconductor SDB160W 0.1022
RFQ
 ECAD 5059 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SDB160WSTR 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 38pf @ 10V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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