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다이오드 (3071)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SB830 Diotec Semiconductor SB830 0.3306
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 Schottky Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB830TR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 30 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
MM3Z56B Diotec Semiconductor MM3Z56B 0.0482
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z56btr 8541.10.0000 3,000 100 na @ 43 v 56 v 200 옴
SK2060CD2-AQ Diotec Semiconductor SK2060CD2-AQ 0.8764
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SK2060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SK2060CD2-AQ 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 700 mV @ 10 a 300 µa @ 60 v -50 ° C ~ 150 ° C
BZT52C62 Diotec Semiconductor BZT52C62 0.0550
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C62TR 8541.10.0000 3,000 200 na @ 47 v 62 v 200 옴
20SQ045-3G Diotec Semiconductor 20SQ045-3G -
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, Schottky P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-20SQ045-3GTR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 20 a 500 µa @ 45 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
MM3Z33 Diotec Semiconductor MM3Z33 0.0304
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MM3Z33TR 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 80 옴
ZY51 Diotec Semiconductor ZY51 0.0986
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy51tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 24 v 51 v 25 옴
30CTQ045S Diotec Semiconductor 30CTQ045S 1.2431
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-30CTQ045 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 50 µa @ 45 v -50 ° C ~ 175 ° C
BY880-1400-CT Diotec Semiconductor BY880-1400-CT 1.7415
RFQ
 ECAD 6327 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 by880 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-by880-1400-ct 8541.10.0000 12 짐 1400 v 1.1 v @ 8 a 1.5 µs 5 µa @ 1.4 v -50 ° C ~ 175 ° C 8a -
ZMM62R13 Diotec Semiconductor ZMM62R13 0.0415
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMM62R13TR 8541.10.0000 10,000 100 na @ 47 v 62 v 150 옴
UF4003 Diotec Semiconductor UF4003 0.0385
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 UF400 기준 DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2796-UF4003TR 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
FX2000F Diotec Semiconductor FX2000F 0.7593
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-FX2000FTR 8541.10.0000 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 940 mV @ 20 a 200 ns 5 µa @ 300 v -50 ° C ~ 150 ° C 20A -
1SS5004WS Diotec Semiconductor 1SS5004WS 0.3666
RFQ
 ECAD 4306 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1SS5004 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.10.0000 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 200 ma 100 ns 100 na @ 240 v -55 ° C ~ 150 ° C 225MA 5pf @ 0V, 1MHz
SL1J-CT Diotec Semiconductor SL1J-CT 0.2874
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123F (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-SL1J-CT 8541.10.0000 30 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1 µs 1 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
SMZ82 Diotec Semiconductor smz82 0.0772
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 2 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-SMZ82TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 41 v 82 v 30 옴
RGL1A Diotec Semiconductor RGL1A 0.0493
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-rgl1atr 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
ZMY130B Diotec Semiconductor ZMY130B 0.0913
RFQ
 ECAD 5219 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZMY130BTR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 60 v 130 v 90 옴
S1B Diotec Semiconductor S1B 0.1500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA/DO-214AC 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0000 7,500 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
RGL1G Diotec Semiconductor RGL1G 0.0721
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA 기준 DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-RGL1GTR 8541.10.0000 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
S16JSD2 Diotec Semiconductor S16JSD2 0.7003
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-S16JSD2 8541.10.0000 50 짐 1 연결 연결 시리즈 600 v 8a 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C
FR1D Diotec Semiconductor FR1D 0.0230
RFQ
 ECAD 5830 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-FR1DTR 8541.10.0000 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
ZPY7.5 Diotec Semiconductor ZPY7.5 0.0986
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-Zpy7.5tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 2 v 7.5 v 1 옴
GBI25K Diotec Semiconductor GBI25K 0.9675
RFQ
 ECAD 4203 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBI 기준 GBI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-GBI25K 8541.10.0000 500 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 800 v 4.2 a 단일 단일 800 v
MM5Z9V1 Diotec Semiconductor MM5Z9V1 0.0333
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mm5z9v1tr 8541.10.0000 4,000 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
ZMC3B6 Diotec Semiconductor ZMC3B6 0.0688
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW Quadro Micromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-zmc3b6tr 8541.10.0000 2,500 3.6 v 85 옴
BY880-800-CT Diotec Semiconductor BY880-800-CT 1.6530
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 diotec 반도체 - 조각 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 by880 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2721-by880-800-ct 8541.10.0000 12 짐 800 v 1.1 v @ 8 a 1.5 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 175 ° C 8a -
ZMD11B Diotec Semiconductor ZMD11B 0.1011
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 1 W. DO-213AA, 미니 마이프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-zmd11btr 8541.10.0000 2,500 500 na @ 7 v 11 v 6 옴
BZX84C6V8 Diotec Semiconductor BZX84C6V8 0.0301
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C6 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-bzx84c6v8tr 8541.10.0000 3,000 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
ZY33 Diotec Semiconductor ZY33 0.0986
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 2 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zy33tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 17 v 33 v 8 옴
BYG10D Diotec Semiconductor byg10d 0.0377
RFQ
 ECAD 8358 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 눈사태 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BYG10DTR 8541.10.0000 7,500 짐 200 v 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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