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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | SDB13HS-AQ | 0.0753 | ![]() | 8344 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-SDB13HS-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 470 mV @ 1 a | 200 µa @ 30 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 1A | 30pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 30CTQ200 | 1.1320 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 30CTQ | Schottky | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-30CTQ200 | 8541.10.0000 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 15a | 860 mV @ 15 a | 50 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | BAS316WT | 0.0328 | ![]() | 7242 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-BAS316WTTR | 8541.10.0000 | 4,000 | 100 v | 150ma | |||||||||||||||||||
![]() | SMS5100-3G | 0.2054 | ![]() | 8503 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | Schottky | Melf do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-SMS5100-3GTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 790 MV @ 5 a | 2 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 5a | - | ||||||||||||
![]() | ZPY33 | 0.0986 | ![]() | 1401 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-41, 축 방향 | 1.3 w | DO-41/DO-204AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-zpy33tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 17 v | 33 v | 8 옴 | |||||||||||||||
![]() | ZMM22 | 0.0257 | ![]() | 8914 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-zmm2tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 na @ 16 v | 22 v | 55 옴 | |||||||||||||||
![]() | S3W-CT | 1.3207 | ![]() | 84 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 기준 | SMC (DO-214AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-S3W-CT | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 짐 | 1600 v | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 5 µa @ 1.6 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | SK110-AQ | 0.0930 | ![]() | 7631 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC, SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SK110-AQTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mv @ 1 a | 200 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | GL34M | 0.0528 | ![]() | 3935 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA | 기준 | DO-213AA, 미니 마이프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-GL34MTR | 8541.10.0000 | 2,500 | 짐 | 1000 v | 1.3 v @ 500 ma | 1.5 µs | 5 µa @ 1000 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 500ma | - | ||||||||||||
![]() | BY134 | 0.0266 | ![]() | 6402 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-41, 축 방향 | 기준 | DO-41/DO-204AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2796-by134tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 짐 | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | ZMC75 | 0.0580 | ![]() | 9240 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-zmc75tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 na @ 56 v | 75 v | 250 옴 | |||||||||||||||
![]() | PPS1545-3G | 0.3995 | ![]() | 2178 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | TO-277-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-PPS1545-3GTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 550 mV @ 15 a | 500 µa @ 45 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 15a | - | |||||||||||||
![]() | MM1Z4689 | 0.0404 | ![]() | 2654 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | 500MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-mm1z4689tr | 8541.10.0000 | 24,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 µa @ 3 v | 5.1 v | |||||||||||||||
![]() | 1N5345B | 0.2073 | ![]() | 7673 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | 5 w | Do-201 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2796-1N5345BTR | 8541.10.0000 | 1,700 | 10 µa @ 6.6 v | 8.7 v | 2 옴 | ||||||||||||||
![]() | M3-CT | 0.1462 | ![]() | 5587 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-M3-CT | 8541.10.0000 | 30 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µa @ 200 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | MMSZ5259B | 0.0304 | ![]() | 27 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | 500MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-MMSZ5259BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 옴 | ||||||||||||||
![]() | SK310SMB | 0.1580 | ![]() | 801 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SK310 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-SK310SMBTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mV @ 3 a | 200 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | ZMD18B | 0.1011 | ![]() | 1542 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AA | 1 W. | DO-213AA, 미니 마이프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-zmd18btr | 8541.10.0000 | 2,500 | 500 na @ 12 v | 18 v | 18 옴 | |||||||||||||||
![]() | MM3Z2V7 | 0.0304 | ![]() | 603 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-mm3z2v7tr | 8541.10.0000 | 3,000 | 1 V @ 10 ma | 120 µa @ 1 v | 2.7 v | 85 옴 | ||||||||||||||
Z2SMB30 | 0.2149 | ![]() | 5940 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 2 w | SMB (DO-214AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-Z2SMB30tr | 8541.10.0000 | 3,000 | 1 µa @ 14 v | 30 v | 8 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 2BZX84C3V0 | 0.0363 | ![]() | 8996 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-2bzx84c3v0tr | 8541.10.0000 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 10 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | ||||||||||||||
![]() | MM5Z9V1 | 0.0333 | ![]() | 4496 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-mm5z9v1tr | 8541.10.0000 | 4,000 | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 옴 | ||||||||||||||
![]() | ZMM75 | 0.0385 | ![]() | 8483 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-zmm75tr | 8541.10.0000 | 2,500 | 100 na @ 56 v | 75 v | 250 옴 | |||||||||||||||
![]() | S16ASD2-CT | 2.3502 | ![]() | 2289 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | S16ASD2 | 기준 | TO-263AB (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-S16ASD2-CT | 8541.10.0000 | 50 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 8 a | 5 µa @ 50 v | -50 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | US1M | 0.0691 | ![]() | 4949 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 기준 | DO-214AC, SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 8541.10.0000 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 1000 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | BAT54W-AQ | 0.0436 | ![]() | 7141 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-BAT54W-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 1 v @ 100 ma | 5 ns | 3 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 200ma | 10pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | ZMY24 | 0.0764 | ![]() | 4805 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 1.3 w | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2796-zmy24tr | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µa @ 12 v | 24 v | 7 옴 | |||||||||||||||
![]() | BZX84B5V6-AQ | 0.0415 | ![]() | 5010 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-BZX84B5V6-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 40 | ||||||||||||||
![]() | 1N4148WS | 0.0179 | ![]() | 3677 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | 1N4148 | 기준 | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 150ma | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SM516-CT | 0.3180 | ![]() | 5765 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 조각 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | SM516 | 기준 | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2721-SM516-CT | 8541.10.0000 | 30 | 짐 | 1600 v | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 5 µa @ 1.6 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 1A | - |
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