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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
KBPC5010WP Diotec Semiconductor KBPC5010WP 3.3889
RFQ
ECAD 5221 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC5010WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
BZT52C5V1 Diotec Semiconductor BZT52C5V1 0.0304
RFQ
ECAD 834 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C5V1TR 8541.10.0000 3,000 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 130 옴
MM3Z13 Diotec Semiconductor MM3Z13 0.0304
RFQ
ECAD 2349 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-mm3z13tr 8541.10.0000 3,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 30 옴
GBS4A Diotec Semiconductor GBS4A 0.9390
RFQ
ECAD 7286 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-GBS4A 8541.10.0000 500 1.05 V @ 2 a 5 µa @ 50 v 2.3 a 단일 단일 50 v
ZPD11B Diotec Semiconductor ZPD11B 0.0225
RFQ
ECAD 10 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-ZPD11BTB 8541.10.0000 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 8.5 v 11 v 6 옴
GBS4G Diotec Semiconductor GBS4G 0.9390
RFQ
ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-GBS4G 8541.10.0000 500 1.05 V @ 2 a 5 µa @ 400 v 2.3 a 단일 단일 400 v
BZX84C24 Diotec Semiconductor BZX84C24 0.0301
RFQ
ECAD 3 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BZX84C24TR 8541.10.0000 3,000 50 NA @ 16.8 v 24 v 80 옴
ST1D Diotec Semiconductor ST1D 0.0195
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC, SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ST1DTR 8541.10.0000 10,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C20 Diotec Semiconductor BZT52C20 -
RFQ
ECAD 1341 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BZT52C20TR 8541.10.0000 3,000 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
BAT54A Diotec Semiconductor BAT54A -
RFQ
ECAD 4202 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2796-BAT54AT 8541.10.0000 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
2BZX84C22 Diotec Semiconductor 2BZX84C22 0.0363
RFQ
ECAD 8104 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-2BZX84C22TR 8541.10.0000 3,000 1 양극 양극 공통 50 NA @ 15.4 v 22 v 70 옴
SB1290 Diotec Semiconductor SB1290 0.6588
RFQ
ECAD 3172 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Schottky 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-SB1290TR 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 830 mv @ 12 a 500 µa @ 90 v -50 ° C ~ 150 ° C 12a -
ZMY33 Diotec Semiconductor ZMY33 0.0764
RFQ
ECAD 9769 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMY33TR 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 17 v 33 v 8 옴
S15JYD2 Diotec Semiconductor S15JYD2 0.6943
RFQ
ECAD 4047 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 TO-263AB (D2PAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-S15JYD2 8541.10.0000 1,000 600 v 1.3 V @ 15 a 1.5 µs 10 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 15a -
DB15-04 Diotec Semiconductor DB15-04 4.3940
RFQ
ECAD 2650 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5 3, DB-35 기준 DB-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DB15-04 8541.10.0000 50 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 3 단계 400 v
ZMY15B Diotec Semiconductor ZMY15B 0.0913
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1.3 w Melf do-213ab 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-zmy15btr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 10 v 15 v 5 옴
B250D Diotec Semiconductor B250D 0.2241
RFQ
ECAD 254 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) 기준 DFM 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-B250D 8541.10.0000 50 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
KBPC10/15/2510WP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2510WP 2.5227
RFQ
ECAD 2 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC10/15/2510WP 8541.10.0000 160 1.2 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
ZPY33 Diotec Semiconductor ZPY33 0.0986
RFQ
ECAD 1401 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-41, 축 방향 1.3 w DO-41/DO-204AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-zpy33tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 17 v 33 v 8 옴
1N5408KR Diotec Semiconductor 1N5408KR 0.0995
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-15 (DO-204AC) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-1N5408KRTR 8541.10.0000 4,000 1000 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 175 ° C 3A -
BY500-50 Diotec Semiconductor BY500-50 0.1051
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 기준 Do-201 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-by500-50tr 8541.10.0000 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 5 a 200 ns 5 µa @ 50 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a -
SBCT30200 Diotec Semiconductor SBCT30200 1.0127
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-SBCT30200 8541.10.0000 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 850 mV @ 15 a 10 µa @ 200 v -50 ° C ~ 150 ° C
KBPC3510WP Diotec Semiconductor KBPC3510WP 2.5983
RFQ
ECAD 12 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC WP 기준 KBPC WP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3510WP 8541.10.0000 160 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
ABS15S Diotec Semiconductor ABS15S 0.0740
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 ABS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ABS15STR 8541.10.0000 5,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 1200 v 2 a 단일 단일 1.2kV
DB35-01 Diotec Semiconductor DB35-01 4.3940
RFQ
ECAD 3346 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5 3, DB-35 기준 DB-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-DB35-01 8541.10.0000 50 1.05 V @ 17.5 a 5 µa @ 100 v 35 a 3 단계 100 v
BYP25A05 Diotec Semiconductor BYP25A05 1.0184
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-208AA 기준 DO-208 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-BYP25A05TR 8541.10.0000 300 50 v 1.1 v @ 25 a 1.5 µs 100 µa @ 50 v -50 ° C ~ 215 ° C 25A -
ZMY3.6G Diotec Semiconductor zmy3.6g 0.0883
RFQ
ECAD 4332 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-ZMY3.6GTR 8541.10.0000 5,000 100 µa @ 1 v 3.6 v 5 옴
SZ3C56 Diotec Semiconductor SZ3C56 0.1133
RFQ
ECAD 5335 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AB, MELF 3 w Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-sz3c56tr 8541.10.0000 5,000 1 µa @ 28 v 56 v 25 옴
KBPC3501FP Diotec Semiconductor KBPC3501FP 2.4927
RFQ
ECAD 8785 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, KBPC35 기준 KBPC35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2721-KBPC3501FP 8541.10.0000 240 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
B500C5000A Diotec Semiconductor B500C5000A 1.7642
RFQ
ECAD 1 0.00000000 diotec 반도체 - 상자 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip 기준 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2796-B500C5000A 8541.10.0000 500 1 V @ 5 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고