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다이오드 (2906)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CMSZ5249B BK	-	RFQ	6416	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZ5249		275 MW	SOT-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v						19 v	23 옴
CBR2-100	-	RFQ	6376	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, 케이스		기준		사례	다운로드		1 (무제한)		CBR2-100 PBFREE	귀 99	8541.10.0080	250						1.1 v @ 2 a		10 µa @ 1000 v		2 a		단일 단일	1kv
cmoz2v6 tr pbfree	0.1875	RFQ	9440	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523	CMOZ2		300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						2.6 v	100 옴
1N649 BK	-	RFQ	3088	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AA, DO-7, 축 방향		기준		DO-7	-				1514-1n649BK	귀 99	8541.10.0070	1		짐		600 v		1 V @ 400 mA		200 na @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	400ma	5pf @ 12v, 1MHz
CPZ28X-1N4680-CT	-	RFQ	4015	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			500MW	주사위	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CPZ28X-1N4680-CT	귀 99	8541.10.0040	1						1.5 v @ 100 ma		4 µa @ 1 v						2.2 v
CLL4729A BK	-	RFQ	5030	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	멜프	다운로드	재고 재고 요청합니다	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800						1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.6 v	10 옴
CMPD6001 BK PBFREE	0.2347	RFQ	1625	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPD6001	기준		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,500		짐		75 v		1.1 v @ 100 ma	3 µs	500 PA @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	250ma	2pf @ 0V, 1MHz
CZ5381B TR	-	RFQ	5909	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5381BTR	귀 99	8541.10.0050	1,400						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 99 v						130 v	190 옴
CMPSH1-4LE BK PBFREE	-	RFQ	2000	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	SOT-23-3 3 리드		Schottky		SOT-23F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-cmpsh1-4lebkpbfree	귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		400 mV @ 1 a		900 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	50pf @ 10V, 1MHz
CMDSH2-4L TR PBFREE	0.4600	RFQ	33	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDSH2	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		500 mV @ 200 mA	5 ns	50 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	10pf @ 0V, 1MHz
CRSH30-4	-	RFQ	1576	Central Semiconductor Corp	-	상자	쓸모없는			스터드 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드		Schottky		Do-4	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CRSH30-4	귀 99	8541.10.0080	250		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		630 mV @ 30 a		2 ma @ 40 v	-	30A	-
1N5627 TR	-	RFQ	1631	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-4, 축,	1N5627	기준		GPR-4AM	-			영향을받지 영향을받지				1		짐		800 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 200 ° C	5a	-
CMDZ5222B TR PBFREE	0.3600	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5222		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2.5 v	30 옴
CMZ5927B TR13 PBFREE	0.3345	RFQ	4962	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5927		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	6.5 옴
CZ5386B BK	-	RFQ	8077	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5386BBK	귀 99	8541.10.0050	500						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 137 v						180 v	430 옴
CMSD4448 BK PBFREE	0.2619	RFQ	9181	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSD4448	기준		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		75 v		1 v @ 100 ma	4 ns	25 na @ 20 v	-65 ° C ~ 175 ° C	250ma	-
CEN619 BK	-	RFQ	1971	Central Semiconductor Corp	-	대부분	마지막으로 마지막으로					CEN619				-			영향을받지 영향을받지				1
CMUD2836 TR	-	RFQ	6319	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	SC-89, SOT-490		기준		SOT-523	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-cmud2836tr	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	75 v	200ma	1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CMKZ5254B TR	-	RFQ	6947	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000	3 독립					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v						27 v	41 옴
1N5418 BK	-	RFQ	2434	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	R-4, 축,		기준		GPR-4AM	다운로드				1514-1n5418BK	귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.1 v @ 3 a	150 ns	1 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 200 ° C	3A	120pf @ 12v, 1MHz
CMKZ5232B BK	-	RFQ	8662	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3 v						5.6 v	11 옴
CZ5365B TR PBFREE	0.4521	RFQ	2569	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	CZ5365		5 w	Do-201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,400						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 27.4 v						36 v	11 옴
1N4002SP BK TIN/리드	0.4700	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,000		짐		100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
CMSZDA5V6 TR PBFREE	0.5100	RFQ	2290	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZDA5		275 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v						5.6 v	40
BZX84C15 BK PBFREE	0.1341	RFQ	1013	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,500						900 mV @ 10 ma		50 na @ 10.5 v						15 v	30 옴
CZ5384C BK	-	RFQ	2589	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5384CBK	귀 99	8541.10.0050	500						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 122 v						160 v	350 옴
Cll459a tr	-	RFQ	5685	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80		기준		SOD-80	-				1514-CLL459AT	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1 v @ 100 ma		25 na @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	6pf @ 0V, 1MHz
1N5225B BK PBFREE	0.0353	RFQ	6311	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v						3 v	29 옴
CMSSH-3AE TR PBFREE	0.5800	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSSH-3	Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	40 v	200MA (DC)	1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CLL4751A BK PBFREE	0.1010	RFQ	3632	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4751		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v						30 v	40

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (2906)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²