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다이오드 (2906)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CLL4736A TR PBFREE	0.4000	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4736		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 4 v				6.8 v	3.5 옴
CMMR1-06 TR PBFREE	0.6000	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	CMMR1	기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1MHz
CZ5349B TR PBFREE	0.9300	RFQ	4	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	CZ5349		5 w	Do-201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,400						1.2 v @ 1 a		2 µA @ 9.1 v				12 v	2.5 옴
CMSH3-20 TR13 PBFREE	0.6900	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CMSH3	Schottky		SMC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N5232B BK PBFREE	0.0353	RFQ	7608	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v				5.6 v	11 옴
1N485B tr	-	RFQ	2750	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1 v @ 100 ma		25 na @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	-
CR3-005GPP TR	-	RFQ	6626	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향		기준		Do-201ad	다운로드		1 (무제한)		CR3-005GPTR	귀 99	8541.10.0080	1,200		짐		50 v		1.2 v @ 3 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
CMKZ5251B BK	-	RFQ	1250	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v				22 v	29 옴
CLL4751A BK PBFREE	0.1010	RFQ	3632	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CLL4751		1 W.	멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v				30 v	40
CMSSH-3AE TR PBFREE	0.5800	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSSH-3	Schottky		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	40 v	200MA (DC)	1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CZ5365B TR PBFREE	0.4521	RFQ	2569	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	CZ5365		5 w	Do-201	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,400						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 27.4 v				36 v	11 옴
CMSZDA5V6 TR PBFREE	0.5100	RFQ	2290	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-70, SOT-323	CMSZDA5		275 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v				5.6 v	40
Cll459a tr	-	RFQ	5685	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80		기준		SOD-80	-				1514-CLL459AT	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1 v @ 100 ma		25 na @ 200 v	-65 ° C ~ 200 ° C	200ma	6pf @ 0V, 1MHz
CMDZ5257B BK PBFREE	0.0610	RFQ	8830	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5257		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v				33 v	58 옴
1N4742A tr pbfree	0.3900	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 9.1 v				12 v	9 옴
CMR1U-10 TR13 PBFREE	1.0900	RFQ	36	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CMR1U-10	기준		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	100 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
CMKZ5233B BK	-	RFQ	6039	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3.5 v				6 v	7 옴
CZ5385B BK	-	RFQ	8809	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5385BBK	귀 99	8541.10.0050	500						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 129 v				170 v	380 옴
CMHZ4683 TR	-	RFQ	3000	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMHZ4683TR	귀 99	8541.10.0050	1						1.5 v @ 100 ma		800 na @ 1 v				3 v
1N5225B BK PBFREE	0.0353	RFQ	6311	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v				3 v	29 옴
BAW100 TR tr/리드	-	RFQ	9848	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BAW100	기준		SOT-143	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-baw100trtin/leadtr	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	75 v	250MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CZ5385B TR	-	RFQ	1023	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향			5 w	Do-201	다운로드		1 (무제한)		CZ5385BTR	귀 99	8541.10.0050	1,400						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 129 v				170 v	380 옴
1N4729A BK	-	RFQ	9635	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1						1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v				3.6 v	10 옴
CMKTC825A BK	-	RFQ	7054	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			325 MW	SOT-363	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CMKTC825ABK	귀 99	8541.10.0050	1												6.2 v	20 옴
1N960B BK PBFREE	0.0734	RFQ	3598	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.5 v @ 200 ma		25 µa @ 6.9 v				9.1 v	7.5 옴
1N5230B bk 주석/리드	0.0431	RFQ	3292	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				4.7 v	19 옴
Cll5232d Tr	-	RFQ	3463	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80	-		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	2,500						1.25 V @ 200 ma		5 µa @ 3 v				5.6 v	11 옴
CPZ58X-1N5237B-CT	-	RFQ	5461	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			500MW	주사위	-				1514-CPZ58X-1N5237B-CT	귀 99	8541.10.0050	1						1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6.5 v				8.2 v	8 옴
1N5991B TR PBFREE	0.0494	RFQ	3559	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 100 ma		5 µa @ 1 v				4.3 v	88 옴
1N4622 TR PBFREE	0.2190	RFQ	8809	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			250 MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				3.9 v	1650 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (2906)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²