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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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1N5945B TR PBFREE | - | ![]() | 5699 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 51.2 v | 68 v | 120 옴 | ||||||||||||||||||
![]() | CPR1F-010 BK | - | ![]() | 3950 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | cpr1f | - | 영향을받지 영향을받지 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSTB162 BK | - | ![]() | 1797 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1514-CSTB162BK | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
CMSH2-40M BK PBFREE | 0.1389 | ![]() | 4824 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMSH2 | Schottky | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 101pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N5258B TR PBFREE | 0.0353 | ![]() | 6096 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 27 v | 36 v | 70 옴 | |||||||||||||||
![]() | CMPD1001S TR PBFREE | 0.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD1001 | 기준 | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 연결 연결 시리즈 | 90 v | 250ma | 1 v @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 90 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | CMLD6001 TR | - | ![]() | 1446 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | 기준 | SOT-563 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 75 v | 250MA (DC) | 1.1 v @ 100 ma | 3 µs | 500 PA @ 75 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | CMR3U-10 BK PBFREE | 0.3975 | ![]() | 4746 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | CMR3U-10 | 기준 | SMC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.7 V @ 3 a | 100 ns | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | CMPD2003S TR 주석/리드 | 0.0232 | ![]() | 5782 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPD2003 | 기준 | SOT-23 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 200 v | 200ma | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | 1N5994B TR PBFREE | - | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 100 ma | 2 µa @ 3 v | 5.6 v | 25 옴 | ||||||||||||||||
![]() | CMZ5917BP BK | - | ![]() | 4757 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 3 w | SMB | 다운로드 | 1 (무제한) | CMZ5917BPBK | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 1.5 v | 4.7 v | 5 옴 | ||||||||||||||||
![]() | CLL4739A BK PBFREE | 0.1070 | ![]() | 7674 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CLL4739 | 1 W. | 멜프 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 7 v | 9.1 v | 5 옴 | ||||||||||||||
CMSH3-100M TR13 PBFREE | 0.4600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CMSH3 | Schottky | SMB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mV @ 3 a | 500 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 280pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | CMDZ5248B TR PBFREE | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CMDZ5248 | 250 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 옴 | ||||||||||||||
CBRHD-06 TR13 PBFREE | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | CBRHD-06 | 기준 | 4-HD 딥 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 1 V @ 400 mA | 5 µa @ 600 v | 500 MA | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||
![]() | CMKZ5258B BK | - | ![]() | 7335 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 27 v | 36 v | 70 옴 | |||||||||||||||
1N4760A TR PBFREE | 0.0602 | ![]() | 9802 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 51.7 v | 68 v | 150 옴 | ||||||||||||||||
1N5953B tr | - | ![]() | 8380 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 114 v | 150 v | 600 옴 | ||||||||||||||||||
1N4754A BK PBFREE | 0.0522 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 29.7 v | 39 v | 60 옴 | |||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-40M621H TR | - | ![]() | 7163 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-xfdfn 노출 패드 | Schottky | TLM621H | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mV @ 500 mA | 15 ns | 200 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | CPZ18-1N4621-CT | - | ![]() | 5433 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 250 MW | 주사위 | - | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CPZ18-1N4621-CT | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 1 v @ 200 ma | 7.5 µa @ 2 v | 3.6 v | 1700 옴 | ||||||||||||||||
![]() | CLLR1-01 TR | - | ![]() | 7374 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 1514-cllr1-01tr | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSICD10-1200 BK | - | ![]() | 9684 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 150 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 500pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZX84C24 TR | - | ![]() | 3542 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | ||||||||||||||
![]() | CR2-160 BK | - | ![]() | 4267 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 기준 | DO-15 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | CR2-160BK | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 짐 | 1600 v | 1.1 v @ 2 a | 10 µa @ 1600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||||||||
CMZ5947B BK PBFREE | 0.0905 | ![]() | 4115 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMZ5947 | 500MW | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 62.2 v | 82 v | 160 옴 | |||||||||||||||
![]() | CMHZ5259B TR PBFREE | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CMHZ5259 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 옴 | ||||||||||||||
CMZ5918B BK | - | ![]() | 1753 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 500MW | SMA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 4 옴 | |||||||||||||||||
![]() | cmoz6v2 tr pbfree | 0.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | CMOZ6 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 4 v | 6.2 v | 10 옴 | ||||||||||||||
![]() | CMSZ5238B BK | - | ![]() | 9798 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | CMSZ5238 | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 6.5 v | 8.7 v | 8 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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