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다이오드 (2906)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CMZ5940B BK PBFREE	0.2315	RFQ	5481	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CMZ5940		500MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	800						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 32.7 v				43 v	53
1N5939B tr pbfree	-	RFQ	5117	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 29.7 v				39 v	45 옴
CMLZDA6V2 TR	-	RFQ	9222	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.45%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOT-563, SOT-666			250 MW	SOT-563	다운로드		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	3,000	1 양극 양극 공통							3 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
1N5923B TR PBFREE	-	RFQ	3107	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 6.5 v				8.2 v	4 옴
1N5356B BK	-	RFQ	3639	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5356bbk	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 14.4 v				19 v	3 옴
1N4461 BK PBFREE	0.3510	RFQ	1036	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000								5 µa @ 4.08 v				6.8 v	2.5 옴
CMDZ5244B BK PBFREE	0.1350	RFQ	5476	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5244		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v				14 v	15 옴
CR250F-4 BK	-	RFQ	9213	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	축		기준		축	-				1514-CR250F-4BK	귀 99	8541.10.0070	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		4000 v		6.75 V @ 250 Ma	200 ns	1 µa @ 4000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	250ma	-
1N5817 TR PBFREE	0.0517	RFQ	3647	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		Schottky		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		450 mV @ 1 a		1 ma @ 20 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CMUSH2-4C BK	-	RFQ	9286	Central Semiconductor Corp	CMUSH2-4	대부분	쓸모없는			표면 표면	SC-89, SOT-490	cmush2	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1514-cmush2-4cbk	귀 99	8541.10.0070	1		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	40 v	200MA (DC)	750 mv @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CMPZ5231B TR PBFREE	0.4500	RFQ	14	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPZ5231		350 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v				5.1 v	17 옴
1N5922B BK PBFREE	-	RFQ	9022	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0050	2,000						1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 6 v				7.5 v	3 옴
CMPSH-3E TR PBFREE	0.5000	RFQ	6	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPSH-3	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	7pf @ 1v, 1MHz
1N3611 TR	-	RFQ	3795	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1N3611	기준		GPR-1A	-			영향을받지 영향을받지				1		짐		200 v		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
CLL5240B TR PBFREE	0.3500	RFQ	10	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CLL5240		500MW	SOD-80	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.25 V @ 200 ma		3 µa @ 8 v				10 v	17 옴
1N4947 TR	-	RFQ	2784	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & t (TB)	마지막으로 마지막으로			구멍을 구멍을	R-1, 방향 축	1N4947	기준		GPR-1A	-			영향을받지 영향을받지				1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	1 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
1N4480 BK PBFREE	0.3465	RFQ	3707	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1.5 w	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000								50 na @ 34.4 v				43 v	40
1N5232B TR PBFREE	0.4100	RFQ	5	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v				5.6 v	11 옴
CMDZ5259B TR PBFREE	0.3600	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5259		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 30 v				39 v	80 옴
1N5237B tr pbfree	0.4100	RFQ	9	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		3 µa @ 6.5 v				8.2 v	8 옴
1N5224B tr pbfree	0.4600	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v				2.8 v	30 옴
1N4758A BK PBFREE	0.0522	RFQ	2339	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 42.6 v				56 v	110 옴
1N4736A BK 주석/리드	0.0494	RFQ	9447	Central Semiconductor Corp	-	상자	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향			1 W.	DO-41	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-1n4736ABKTIN/리드	귀 99	8541.10.0050	2,000						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 4 v				6.8 v	3.5 옴
CMKZ5221B BK	-	RFQ	8454	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			200 MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	1	3 독립					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v				2.4 v	30 옴
CMR2-10 TR13 PBFREE	0.5600	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CMR2-10	기준		SMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		1000 v		1.1 v @ 2 a	2.5 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CLL4762A TR	-	RFQ	9348	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			1 W.	멜프	다운로드	재고 재고 요청합니다	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 62.2 v				82 v	200 옴
CMDZ5224B TR PBFREE	0.0610	RFQ	6379	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CMDZ5224		250 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v				2.8 v	30 옴
CPZ28X-1N4109-CT	-	RFQ	3557	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			250 MW	주사위	다운로드			영향을받지 영향을받지	1514-CPZ28X-1N4109-CT	귀 99	8541.10.0040	1						1.1 v @ 200 ma		50 na @ 11.4 v				15 v	100 옴
1N5230B tr pbfree	0.4100	RFQ	8	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				4.7 v	19 옴
1N5358B BK	-	RFQ	5684	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	T-18, 축,			5 w	AX-5W	다운로드				1514-1n5358BBK	귀 99	8541.10.0050	1						1.2 v @ 1 a		500 NA @ 16.7 v				22 v	3.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (2906)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²