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다이오드 (2906)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CBR2-L040M Central Semiconductor Corp CBR2-L040M 0.5562
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip CBR2-L040 기준 BM 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 CBR2-L040M PBFREE 귀 99 8541.10.0080 35 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
CBR2-L100M Central Semiconductor Corp CBR2-L100M 0.6026
RFQ
 ECAD 3888 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip CBR2-L100 기준 BM 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 CBR2-L100M PBFREE 귀 99 8541.10.0080 35 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
1N4474 BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4474 BK PBFREE 0.3465
RFQ
 ECAD 4690 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 50 NA @ 19.2 v 24 v 16 옴
1N4743A BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4743A BK PBFREE 0.0522
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 9.9 v 13 v 10 옴
1N4758A BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4758A BK PBFREE 0.0522
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
1N5249B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5249B BK PBFREE 0.0798
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
1N5931B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5931B TR PBFREE -
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
CBRLD1-08 BK Central Semiconductor Corp CBRLD1-08 BK -
RFQ
 ECAD 2741 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 4-LPDIP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 1 a 10 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
1N3981 BK Central Semiconductor Corp 1N3981 BK -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 마지막으로 마지막으로 1N3981 - 영향을받지 영향을받지 1
CPR5U-040 TR Central Semiconductor Corp CPR5U-040 TR -
RFQ
 ECAD 8517 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & t (TB) 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 R-4, 축, cpr5u 기준 GPR-4AM - 영향을받지 영향을받지 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 10 ma 50 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 100pf @ 4V, 1MHz
CPZ59X-1N968B-WN Central Semiconductor Corp CPZ59X -1N968B -WN -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 500MW 주사위 - 1514-CPZ59X-1N968B -WN 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 15.2 v 20 v 25 옴
UF4002 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp UF4002 tr 00/리드 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4002 기준 DO-41 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
CBR6M-L080M TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CBR6M-L080M 주석/리드 1.2700
RFQ
 ECAD 401 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, DMM CBR6M-L080 기준 DMM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1514-CBR6M-L080MTIN/리드 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 6 a 5 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
CBR1-D060S Central Semiconductor Corp CBR1-D060S 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Central Semiconductor Corp CBR1 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 4-SMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1514-CBR1-D060S 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
CBR1-100 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CBR1-100 00/리드 1.4800
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 Central Semiconductor Corp CBR1 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, 케이스 기준 사례 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 250 1 V @ 1 a 10 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
CPZ28X-1N4109-CT Central Semiconductor Corp CPZ28X-1N4109-CT -
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 250 MW 주사위 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-CPZ28X-1N4109-CT 귀 99 8541.10.0040 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 옴
CPZ18-BZX55C5V1-CT Central Semiconductor Corp CPZ18-BZX55C5V1-CT -
RFQ
 ECAD 2536 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 500MW 주사위 - 영향을받지 영향을받지 1514-CPZ18-BZX55C5V1-CT 귀 99 8541.10.0040 1 1 v @ 100 ma 100 na @ 1 v 5.1 v 35 옴
CPZ19-1N4109-CT Central Semiconductor Corp CPZ19-1N4109-CT -
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 250 MW 주사위 - 영향을받지 영향을받지 1514-CPZ19-1N4109-CT 귀 99 8541.10.0040 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 11.4 v 15 v 100 옴
1N816 TR Central Semiconductor Corp 1N816 TR -
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 400MW DO-35 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-1n816tr 귀 99 8541.10.0050 1 1 v @ 100 ma 100 na @ 4 v
CEN1151 BK Central Semiconductor Corp CEN1151 BK -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 Central Semiconductor Corp * 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 1514-CEN1151BK 쓸모없는 1
BAS28 BK PBFREE Central Semiconductor Corp BAS28 BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 5518 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAS28 기준 SOT-143 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1514-BAS28BKPBFREE 귀 99 8541.10.0070 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 75 v 250MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 6 ns 1 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N4152 BK Central Semiconductor Corp 1N4152 BK -
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 기준 DO-35 - 1514-1n4152BK 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 880 mV @ 20 ma 4 ns 50 na @ 40 v -65 ° C ~ 200 ° C 150ma 2pf @ 0V, 1MHz
CMKZ5246B BK Central Semiconductor Corp CMKZ5246B BK -
RFQ
 ECAD 5314 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 1 3 독립 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
CMKZ5225B TR Central Semiconductor Corp CMKZ5225B TR -
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 독립 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 3 v 29 옴
CBRDFSH1-40 TR13 Central Semiconductor Corp CBRDFSH1-40 TR13 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 4-LDFN cbrdfsh1 Schottky 4-BR DFN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v 1 a 단일 단일 40 v
CBRDFA4-100 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CBRDFA4-100 TR13 PBFREE 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 4-LDFN CBRDFA4 기준 4-DFN-A (10.5x8.1) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 4 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
CLL4688 BK Central Semiconductor Corp CLL4688 BK -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 1514-CLL4688BK 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 10 µa @ 3 v 4.7 v
1N5358B BK Central Semiconductor Corp 1N5358B BK -
RFQ
 ECAD 5684 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 T-18, 축, 5 w AX-5W 다운로드 1514-1n5358BBK 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 16.7 v 22 v 3.5 옴
CLLR1F-10 BK Central Semiconductor Corp cllr1f-10 bk -
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-213AB, MELF 기준 멜프 - 1514-cllr1f-10bk 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
CLL4713 TR Central Semiconductor Corp CLL4713 TR -
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 1514-Cll4713tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 10 na @ 22.8 v 30 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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