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CBRHD-04 BK PBFREE | 0.2610 | ![]() | 8811 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | CBRHD-04 | 기준 | 4-HD 딥 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 350 | 1 V @ 400 mA | 5 µa @ 400 v | 500 MA | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||||
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![]() | CSICD10-650 TR13 | - | ![]() | 1291 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 650 v | 1.7 V @ 10 a | 125 µa @ 650 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 28pf @ 600V, 1MHz | ||||||||||||
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![]() | CBR6F-040 | - | ![]() | 6702 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, cm | cm | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
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![]() | CMMSH1-100G TR PBFREE | 0.4400 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | cmmsh1 | Schottky | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mv @ 1 a | 500 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||
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CMZ5921B BK PBFREE | 0.3345 | ![]() | 5008 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMZ5921 | 500MW | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5 옴 | |||||||||||||
CMZ5945B BK PBFREE | 0.1512 | ![]() | 9220 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMZ5945 | 500MW | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 51.7 v | 68 v | 120 옴 | |||||||||||||
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![]() | CLL4735D TR | - | ![]() | 8586 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 1 W. | 멜프 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 3 v | 6.2 v | 2 옴 | |||||||||||||||
![]() | CMDZ3V0 TR PBFREE | 0.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CMDZ3 | 250 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N4614 BK PBFREE | 0.2190 | ![]() | 9557 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 250 MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 v @ 200 ma | 7.5 µa @ 1 v | 1.8 v | 1200 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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