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![]() | CN647 TR | - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 짐 | 400 v | 1 V @ 400 mA | 200 na @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 400ma | 11pf @ 12v, 1MHz | |||||||||||||
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![]() | CMKZ5261B BK | - | ![]() | 4233 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 36 v | 47 v | ||||||||||||||
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![]() | CPD16-CMR1U-06M-CT | - | ![]() | 9533 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 쟁반 | 활동적인 | 표면 표면 | 주사위 | CPD16 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0040 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.4 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
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![]() | BZX84C3V9 TR PBFREE | 0.5000 | ![]() | 674 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 90 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N746A BK PBFREE | 0.4000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 3.3 v | 28 옴 | |||||||||||||
![]() | CPZ58X-CMPZ5235B-CT | - | ![]() | 3843 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | - | 1514-CPZ58X-CMPZ5235B-CT | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 5 v | 6.8 v | 5 옴 | ||||||||||||||||
![]() | CLLR1-06 TR | - | ![]() | 8763 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 기준 | 멜프 | - | 1514-cllr1-06tr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
1N5943B tr pbfree | - | ![]() | 8858 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 42.6 v | 56 v | 86 옴 | ||||||||||||||||
![]() | CMPZ5256B TR PBFREE | 0.4600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPZ5256 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 옴 | ||||||||||||
![]() | CZ5352B BK PBFREE | 0.6118 | ![]() | 7401 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | CZ5352 | 5 w | Do-201 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 11.5 v | 15 v | 2.5 옴 | ||||||||||||
![]() | CMR3U-01 BK PBFREE | 0.1836 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | CMR3U-01 | 기준 | SMC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | 1N486B tr 틴/리드 | 0.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 기준 | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 250 v | 1 v @ 100 ma | 50 na @ 250 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 200ma | - | ||||||||||||
CMZ5942B TR13 PBFREE | 0.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CMZ5942 | 500MW | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 38.8 v | 51 v | 70 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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