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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | CLL5260B TR PBFREE | 0.3500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | CLL5260 | 500MW | SOD-80 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 100 na @ 33 v | 43 v | 93 옴 | ||||||||||||
![]() | CR3-080GPP BK | - | ![]() | 7982 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | 1 (무제한) | CR3-080GPPBK | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 3 a | 10 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
1N5946B BK | - | ![]() | 3649 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 56 v | 75 v | 140 옴 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5238B BK PBFREE | 0.0353 | ![]() | 7184 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 6.5 v | 8.7 v | 8 옴 | |||||||||||||
![]() | CZ5350B BK PBFREE | 0.4526 | ![]() | 3429 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | CZ5350 | 5 w | Do-201 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 1 µa @ 9.9 v | 13 v | 2.5 옴 | ||||||||||||
![]() | CMOZ47L TR PBFREE | 0.5800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | CMOZ47 | 250 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 43 v | 47 v | 250 옴 | ||||||||||||
1N5940B BK PBFREE | - | ![]() | 7924 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 32.7 v | 43 v | 53 | ||||||||||||||||
![]() | CMSZ5258B TR PBFREE | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | CMSZ5258 | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 27 v | 36 v | 70 옴 | ||||||||||||
![]() | CMOZ27V TR PBFREE | 0.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | CMOZ27 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 18.9 v | 27 v | 80 옴 | ||||||||||||
![]() | 1N5995B BK PBFREE | 0.0494 | ![]() | 9589 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 100 ma | 1 µa @ 4 v | 6.2 v | 10 옴 | ||||||||||||||
![]() | CN649 TR | - | ![]() | 7207 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 짐 | 600 v | 1 V @ 400 mA | 200 na @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 400ma | 11pf @ 12v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | CMKZ5251B TR | - | ![]() | 2484 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 옴 | |||||||||||||
![]() | 1N4004 BK | - | ![]() | 5752 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | CMHZ4697 TR PBFREE | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CMHZ4697 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 100 ma | 1 µa @ 7.6 v | 10 v | |||||||||||||
![]() | CMKZ5222B TR | - | ![]() | 6916 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 100 µa @ 1 v | 2.5 v | 30 옴 | |||||||||||||
![]() | CLL4763A TR | - | ![]() | 1246 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | 1 W. | 멜프 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 69.2 v | 91 v | 250 옴 | ||||||||||||||
![]() | 1N5223B bk 주석/리드 | 0.0431 | ![]() | 2356 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 75 µa @ 1 v | 2.7 v | 30 옴 | |||||||||||||
![]() | CMPZ5241B TR PBFREE | 0.7100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPZ5241 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | ||||||||||||
![]() | CMHZ5264B TR PBFREE | 0.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CMHZ5264 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 46 v | 60 v | 170 옴 | ||||||||||||
![]() | CLL914 TR PBFREE | 0.3900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | CLL914 | 기준 | SOD-80 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 75 v | 1 V @ 10 ma | 4 ns | 5 µa @ 75 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 250ma | 4pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CMHZ4625 BK 주석/리드 | - | ![]() | 9258 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CMHZ4625BKTIN/리드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 100 ma | 10 µa @ 3 v | 5.1 v | 1500 옴 | ||||||||||||||
![]() | CMLSH05-10DA TR PBFREE | 0.5600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | CMLSH05 | Schottky | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 100 v | 500ma | 850 mV @ 500 mA | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | CMLZDA3V3 TR | - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6.06% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | 250 MW | SOT-563 | 다운로드 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 95 옴 | |||||||||||||||
![]() | 1N4461 TR PBFREE | 0.3465 | ![]() | 6472 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1.5 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µa @ 4.08 v | 6.8 v | 2.5 옴 | |||||||||||||||
![]() | CMHZ4690 BK | - | ![]() | 5677 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CMHZ4690BK | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 100 ma | 10 µa @ 4 v | 5.6 v | |||||||||||||||
![]() | CMMR1-02 TR PBFREE | 1.0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | CMMR1 | 기준 | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 200 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | CMPZ5248B TR PBFREE | 0.7500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPZ5248 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 옴 | ||||||||||||
![]() | CMDZ5247B TR PBFREE | 0.0610 | ![]() | 2684 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CMDZ5247 | 250 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 옴 | ||||||||||||
![]() | CMHZ4678 TR PBFREE | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CMHZ4678 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 100 ma | 7.5 µa @ 1 v | 1.8 v | |||||||||||||
![]() | CMSSH-3S BK PBFREE | 0.2489 | ![]() | 1377 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | CMSSH-3 | Schottky | SMC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 30 v | 100MA (DC) | 1 v @ 100 ma | 5 ns | 500 na @ 25 v | -65 ° C ~ 150 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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