RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
HT14G A0G	-	RFQ	8457	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	HT14	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BZS55B3V6 RXG	-	RFQ	9624	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		2 µa @ 1 v				3.6 v	85 옴
BZT52B75 RHG	0.3000	RFQ	7287	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52B		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 ma		45 NA @ 52.5 v				75 v	255 옴
SR10100HC0G	-	RFQ	4114	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SR10100	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	10A	850 mV @ 5 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C22P RTG	-	RFQ	7626	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.66%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 16 v				22.05 v	15 옴
MBRAD560H	0.6600	RFQ	9506	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRAD560	Schottky		윈스 윈스	-	Rohs3 준수	1 (무제한)					4,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		800 mV @ 5 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	244pf @ 4V, 1MHz
31df4	0.3630	RFQ	5101	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	31df4	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.7 V @ 3 a	35 ns	20 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	-
SFS1608GH	0.8349	RFQ	1003	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SFS1608	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	60pf @ 4V, 1MHz
SFT12GHR0G	-	RFQ	8029	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	T-18, 축,	SFT12	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
Sk56bhr5g	-	RFQ	4841	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK56	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
MBRF20L120CTH	-	RFQ	9744	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF20	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	20A	900 mV @ 20 a		20 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B10S R9G	0.2600	RFQ	2713	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52B		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		180 na @ 7 v				10 v	20 옴
SF61GHA0G	-	RFQ	3688	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SF61	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		975 MV @ 6 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
BZX84C20 RFG	0.0511	RFQ	9711	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v				20 v	55 옴
pu3dbh	0.5300	RFQ	5	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		930 MV @ 3 a	25 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	47pf @ 4V, 1MHz
SFF1003GA C0G	-	RFQ	2955	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SFF1003	기준		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	150 v	10A (DC)	975 MV @ 5 a	35 ns	10 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C18P RQG	-	RFQ	3669	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.4%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 13 v				17.95 v	15 옴
TSZU52C4V7 RGG	0.0669	RFQ	9705	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v				4.7 v	78 옴
FR207G B0G	-	RFQ	6315	대만 대만 회사	-	대부분	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR207	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	10pf @ 4V, 1MHz
BZV55B10	0.0357	RFQ	6148	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZV55B10tr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		100 na @ 7.5 v				10 v	15 옴
BZT52C5V1K RKG	0.0474	RFQ	1928	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							2 µa @ 1.5 v				5.1 v	60 옴
BZT55B13 L0G	0.0385	RFQ	6963	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZT55		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 V @ 10 ma		100 na @ 10 v				13 v	26 옴
1N4936G R1G	-	RFQ	7777	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4936	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
LL4006G L0	-	RFQ	1056	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AB, MELF	LL4006	기준		멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	LL4006GL0	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		800 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SR102 B0G	-	RFQ	4562	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SR102	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 1 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
1N5247B	0.0271	RFQ	7229	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5247		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-1n5247Btr	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 13 v				17 v	19 옴
S1MBHR5G	0.1492	RFQ	6	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	S1MB	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
TSF40L60C	-	RFQ	9470	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSF40	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	20A	630 mv @ 20 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SK39AHM2G	-	RFQ	6503	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK39	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		850 mV @ 3 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1SMA4750H	0.0995	RFQ	2471	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4750		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500							1 µa @ 20.6 v				27 v	35 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²