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다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
FR152GHB0G	-	RFQ	8070	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FR152	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
1N4933GHB0G	-	RFQ	8127	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4933	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
SR803 B0G	-	RFQ	8650	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR803	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 8 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	8a	-
1pgsmc5367 m6g	-	RFQ	3032	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-1pgsmc5367m6gtr	귀 99	8541.10.0050	3,000							500 NA @ 32.7 v				43 v	20 옴
HS3M R6	-	RFQ	5117	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-HS3MR6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	50pf @ 4V, 1MHz
SS320HM6G	-	RFQ	3501	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS320	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mV @ 3 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
S4K M6G	-	RFQ	2368	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S4K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	100 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	60pf @ 4V, 1MHz
SS19 M2G	-	RFQ	4693	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS19	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		800 mv @ 1 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
sras8150hmng	-	RFQ	8760	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SRAS8150	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 8 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
SS26LHR3G	-	RFQ	2954	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS26	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		400 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
HS1KL RQG	-	RFQ	1794	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	HS1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
pu4dch	0.7100	RFQ	5	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		930 MV @ 4 a	25 ns	2 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	78pf @ 4V, 1MHz
sr306ha0g	-	RFQ	9175	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR306	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1SMA4752 R3G	-	RFQ	8131	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4752		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							1 µa @ 25.1 v				33 v	45 옴
es1dlhmqg	-	RFQ	2612	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	ES1D	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C4V7 RGG	0.0669	RFQ	9705	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v				4.7 v	78 옴
BAT43 R0	-	RFQ	7797	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모 쓸모			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향		Schottky		DO-35	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BAT43R0	귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C	200ma	7pf @ 1v, 1MHz
SS34L l	0.3675	RFQ	6885	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS34	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
SS12LS RVG	0.0905	RFQ	7774	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	SS12	Schottky		SOD-123HE	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		450 mV @ 1 a		400 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	80pf @ 4V, 1MHz
GP1001HC0G	-	RFQ	9209	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	GP1001	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	짐	1 음극 음극 공통	50 v	10A	1.1 v @ 5 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
ESDLW	0.0948	RFQ	5407	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123W	ESDLW	기준		SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 800 MA	35 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	21pf @ 4V, 1MHz
TSF40H150C	1.7502	RFQ	4549	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSF40	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	20A	710 MV @ 20 a		150 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
TSF30H150C	1.3110	RFQ	3112	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	TSF30	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	15a	900 mV @ 15 a		150 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C75PHMHG	-	RFQ	3161	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.04%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 56 v				74.5 v	100 옴
BZD27C160P R3G	-	RFQ	1536	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.55%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 120 v				162 v	350 옴
S5B V6G	-	RFQ	5181	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5B	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v			1.5 µs	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	60pf @ 4V, 1MHz
BZV55B6V8 L1G	-	RFQ	4745	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1 v @ 100 ma		100 na @ 3 v				6.8 v	8 옴
MBRF10200 C0G	-	RFQ	1720	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF1020	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.05 V @ 10 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SS22LHMQG	-	RFQ	8343	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS22	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
ES3GBH	0.2034	RFQ	4388	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	es3g	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.13 V @ 3 a	35 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	41pf @ 4v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²