SIC
close

다이오드 (14739)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
HS2GA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2GA R3G 0.2251
RFQ
 ECAD 8720 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA HS2G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
SS310L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS310L RTG -
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS310 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
TSZL52C13-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C13-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 1005 (2512 25) 200 MW 1005 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSZL52C13-F0RWGTR 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 25 옴
SFA1004G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1004G C0G -
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SFA1004 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
S4J Taiwan Semiconductor Corporation S4J 0.1756
RFQ
 ECAD 2138 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S4J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.5 µs 100 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
SRS2020 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2020 MNG -
RFQ
 ECAD 5750 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS2020 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 20A 550 mV @ 10 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C
HER108G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER108G B0G -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 HER108 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ES1BHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1BHR3G -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
BZT52B4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V3 0.0412
RFQ
 ECAD 5395 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B4V3TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 ma 2.7 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
SF31GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31GHA0G -
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF31 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
ES1BLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation es1blhrfg -
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SR110HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR110HB0G -
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR110 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS310LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS310LHRUG -
RFQ
 ECAD 8029 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS310 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
HER108G Taiwan Semiconductor Corporation HER108G 0.0981
RFQ
 ECAD 4016 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 HER108 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SF25G Taiwan Semiconductor Corporation SF25G 0.1159
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SF25 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
SS36LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHMHG -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS36 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SR16150PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR16150PT C0G -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR16150 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 16A 1 V @ 8 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS25150CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25150CTHMNG -
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS25150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 25A 1.02 V @ 25 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMA120Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma120z R3g -
RFQ
 ECAD 9744 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma120 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1pgsma120zr3g 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 550 옴
BZX55B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B3V6 0.0301
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX55B3V6TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 85 옴
SK520CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SK520CHM6G -
RFQ
 ECAD 4419 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK520 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 5 a 300 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZX85C27 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C27 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 na @ 20 v 27 v 30 옴
RSFGLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGLHMTG -
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFGL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
HS2GA Taiwan Semiconductor Corporation HS2GA 0.0948
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA HS2G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
1SMB5947HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5947HR5G -
RFQ
 ECAD 1008 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5947 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 62.2 v 82 v 160 옴
SF68GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF68GHA0G -
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SF68 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 6 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4759A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4759A 0.1118
RFQ
 ECAD 9375 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4759 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
SR005 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR005 B0G -
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR005 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mV @ 500 mA 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 80pf @ 4V, 1MHz
HER603G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER603G A0G -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, HER603 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 700 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 6 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4V, 1MHz
SR515 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR515 B0G -
RFQ
 ECAD 5675 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR515 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.05 V @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다