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다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZD27C6V8P MTG	-	RFQ	2942	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500				1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v						6.8 v	3 옴
SS29 M4G	-	RFQ	8249	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS29	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	90 v	850 mv @ 2 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
UG2JA R3G	-	RFQ	5320	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	UG2J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.3 V @ 2 a	55 ns	2 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C200PW	0.4900	RFQ	18	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	BZD27		1 W.	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000				1 v @ 200 ma		1 µa @ 150 v						200 v	750 옴
SK32BHR5G	-	RFQ	6621	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK32	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	20 v	500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
BZD27C20PHRFG	-	RFQ	5262	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 15 v						20 v	15 옴
AZ23C10	0.0786	RFQ	5097	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-AZ23C10TR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통					100 na @ 7.5 v						10 v	15 옴
HS5F R6G	-	RFQ	1924	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-HS5FR6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	300 v	1 V @ 5 a	50 ns	10 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	80pf @ 4V, 1MHz
RSFML	0.0692	RFQ	1827	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	do-219ab	RSFML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1000 v	1.3 v @ 500 ma	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
MUR4L20 B0G	-	RFQ	1626	대만 대만 회사	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	mur4l20	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	890 mV @ 4 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	65pf @ 4V, 1MHz
BZD27C27P M2G	-	RFQ	5818	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.03%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500				1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 20 v						27 v	15 옴
RSFAL RFG	-	RFQ	2893	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFAL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
RS1KL RFG	-	RFQ	7282	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RS1K	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	800 v	1.3 v @ 800 ma	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	800ma	10pf @ 4V, 1MHz
1SMA4739HR3G	-	RFQ	7541	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4739		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800						5 µa @ 7 v						9.1 v	5 옴
SF13G R1G	-	RFQ	2776	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF13	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	150 v	950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
SS22LHRHG	-	RFQ	2103	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS22	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	20 v	500 mV @ 2 a		400 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MBS4	0.5000	RFQ	2	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4- 베스 외 (0.173 ", 4.40mm 너비)	MBS4	기준		MBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000				1 V @ 2 a		5 µa @ 400 v		800 MA		단일 단일	400 v
BZX79C68	0.0333	RFQ	1492	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZX79C68TR	귀 99	8541.10.0050	20,000				1.5 v @ 100 ma		50 NA @ 47.6 v						68 v	240 옴
BZX584B6V8 RKG	-	RFQ	7737	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX584		150 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000				900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
RSFAL	0.5100	RFQ	189	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	RSFAL	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	50 v	1.3 v @ 500 ma	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	4pf @ 4V, 1MHz
ES1GL RQG	-	RFQ	7465	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	es1g	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	400 v	1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 1v, 1MHz
BZS55B5V6 RXG	-	RFQ	1738	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000				1.5 v @ 10 ma		100 na @ 1 v						5.6 v	30 옴
1SMB5953H	0.1560	RFQ	2134	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	1SMB5953		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1 µa @ 114 v						150 v	600 옴
2M14Z A0G	-	RFQ	1243	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M14		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500						500 NA @ 10.6 v						14 v	5.5 옴
SS14MHRSG	0.1035	RFQ	2374	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 리드	SS14	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	550 mV @ 1 a		50 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	50pf @ 4V, 1MHz
es1flhrqg	-	RFQ	2693	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	es1f	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	300 v	1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
BZT52B36	0.0416	RFQ	2469	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52B		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52B36TR	귀 99	8541.10.0050	6,000				1 V @ 10 ma		45 NA @ 25.2 v						36 v	90 옴
UG06D A1G	-	RFQ	9291	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	UG06	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	950 MV @ 600 MA	15 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	600ma	9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C120P MTG	-	RFQ	1858	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.39%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500				1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 91 v						120.5 v	300 옴
ES2JH	0.1497	RFQ	4579	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2J	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.7 V @ 2 a	35 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²