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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX79B36 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B36 A0G -
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 100 ma 25.2 ma @ 50 mV 36 v 90 옴
BAS21A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21A RFG 0.0523
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 250 v 200ma 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS1KLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation rs1klhrfg -
RFQ
ECAD 6468 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
TSU1M45H Taiwan Semiconductor Corporation TSU1M45H 0.4200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 1 a 80 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 156pf @ 4v, 1MHz
HS1D Taiwan Semiconductor Corporation HS1D 0.0853
RFQ
ECAD 1832 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA HS1D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BZT52C4V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V3-G RHG 0.0445
RFQ
ECAD 7786 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BZD27C130P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P RFG -
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 132.5 v 300 옴
BZS55B24 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B24 RAG -
RFQ
ECAD 7211 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55B24RAGTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
3A60 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 3A60 B0G -
RFQ
ECAD 7690 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3A60 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 600 v 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 27pf @ 4V, 1MHz
1N4006G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006G A0G -
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4006 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBR6050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6050PTHC0G -
RFQ
ECAD 4130 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR6050 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 60a 930 MV @ 60 a 1 ma @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20150CTHC0G -
RFQ
ECAD 5420 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20150 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 1.23 V @ 20 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
SF1604PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1604PTHC0G -
RFQ
ECAD 8189 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF1604 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1MHz
UG06CH Taiwan Semiconductor Corporation UG06CH 0.1016
RFQ
ECAD 9207 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, UG06 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 600 MA 15 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4V, 1MHz
SK59CH Taiwan Semiconductor Corporation Sk59ch -
RFQ
ECAD 3274 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SK59CHTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 5 a 300 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZD27C27PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRUG 0.2933
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
MTZJ7V5SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ7V5SB R0G 0.0305
RFQ
ECAD 1095 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj7 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 4 v 7.26 v 20 옴
HER158G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER158G A0G -
RFQ
ECAD 1843 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER158 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1 V @ 1.5 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BZX55B47 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B47 A0G -
RFQ
ECAD 8568 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 35 v 47 v 110 옴
UG1004G Taiwan Semiconductor Corporation UG1004G 0.5043
RFQ
ECAD 1397 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 UG1004 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 950 MV @ 5 a 22 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N4764A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764A 0.1118
RFQ
ECAD 8696 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4764 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
MBR6035PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6035PT C0G -
RFQ
ECAD 6566 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR6035 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 60a 820 MV @ 60 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
SK22AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation SK22AHM2G -
RFQ
ECAD 1514 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SK22 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MMSZ5239B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5239B 0.0433
RFQ
ECAD 9112 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5239 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5239BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
6A100G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A100G A0G -
RFQ
ECAD 9082 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A100 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 700 1000 v 1 V @ 6 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
SS26 Taiwan Semiconductor Corporation SS26 0.0990
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS26 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MBRS2545CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2545CT MNG -
RFQ
ECAD 5982 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS2545 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 25A 820 MV @ 20 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
1T6G Taiwan Semiconductor Corporation 1T6G 0.0585
RFQ
ECAD 5845 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1T6G 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 800 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MBR10200 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200 C0G -
RFQ
ECAD 6316 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1020 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 200 v 1.05 V @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BAT43-L0 R0 Taiwan Semiconductor Corporation BAT43-L0 R0 -
RFQ
ECAD 6989 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 Schottky DO-35 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BAT43-L0R0 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 200 ma 5 ns 500 na @ 25 v -65 ° C ~ 125 ° C 200ma 7pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고