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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX585B15 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B15 RSG 0.0476
RFQ
ECAD 5238 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 45 NA @ 10.5 v 15 v 30 옴
TSF40L60C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L60C -
RFQ
ECAD 9470 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF40 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 630 mv @ 20 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SRAS8150 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS8150 MNG -
RFQ
ECAD 4823 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS8150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 8 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BAS20W Taiwan Semiconductor Corporation BAS20W 0.0498
RFQ
ECAD 1900 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS20 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAS20WTR 귀 99 8541.10.0070 45,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.25 V @ 100 ma 50 ns 100 na @ 150 v 125 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
SK55C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK55C M6G -
RFQ
ECAD 9007 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK55 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
1N4758G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758G 0.0627
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4758 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-1N4758GTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
MMBD3004CA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004CA RFG 0.3700
RFQ
ECAD 6845 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 350 v 225MA 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 350 v -65 ° C ~ 150 ° C
PU2JA Taiwan Semiconductor Corporation pu2ja 0.1050
RFQ
ECAD 9173 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA pu2j 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-pu2jatr 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.5 v @ 2 a 26 ns 2 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 22pf @ 4a, 1MHz
RS1JLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation rs1jlwhrvg 0.4900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W RS1J 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SF808GH Taiwan Semiconductor Corporation sf808gh 0.6699
RFQ
ECAD 4702 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF808 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SF808GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 8a 1.7 V @ 4 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55C47 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C47 A0G -
RFQ
ECAD 2610 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 35 v 47 v 110 옴
S1GHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1GHR3G -
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA S1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 400 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
BZD27C62PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62PHRVG 0.1043
RFQ
ECAD 9734 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
MUR440S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S V7G 1.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR440 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
BZT52C68 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 RHG 0.0453
RFQ
ECAD 4551 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BAS21 Taiwan Semiconductor Corporation BAS21 0.0322
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAS21TR 귀 99 8541.10.0070 6,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 1v, 1MHz
1N4935G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935G -
RFQ
ECAD 5559 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1N4935GTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C82PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHM2G -
RFQ
ECAD 5577 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 62 v 82 v 200 옴
S10KCH Taiwan Semiconductor Corporation S10kch 0.2379
RFQ
ECAD 9487 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
BAT54SD REG Taiwan Semiconductor Corporation Bat54SD Reg -
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bat54 Schottky SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C
HERAF1606G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1606G 1.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF1606 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 16 a 80 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 110pf @ 4V, 1MHz
RS1KLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation rs1klhr3g 0.1951
RFQ
ECAD 8415 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1K 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
MBR10150CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150CTC0 -
RFQ
ECAD 4695 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1015 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 980 MV @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
ES3C M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C M6G -
RFQ
ECAD 8892 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3C 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BZS55B20 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B20 RXG -
RFQ
ECAD 9845 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 55 옴
BZD27C7V5PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHRQG 0.0962
RFQ
ECAD 8212 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 3 v 7.45 v 2 옴
ES1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL RHG -
RFQ
ECAD 5966 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1MHz
S5GB Taiwan Semiconductor Corporation S5GB 0.1328
RFQ
ECAD 5970 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
1N4004GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GHR1G -
RFQ
ECAD 9593 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4004 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 400 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT52C24K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24K 0.0474
RFQ
ECAD 9718 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C24KTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 19 v 24 v 70 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고