RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SK32AH	-	RFQ	9682	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SK32AHTR	귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		550 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
MUR360S V7G	-	RFQ	2336	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	MUR360	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.25 V @ 3 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
AZ23C7V5 RFG	0.0786	RFQ	5412	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 5 v						7.5 v	7 옴
UDZS15B RRG	0.3400	RFQ	16	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	UDZS15		200 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								45 na @ 11 v						15 v	40
SK26A	0.0821	RFQ	9542	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK26	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MBRS3045CTHMNG	-	RFQ	9258	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRS3045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	30A	900 mV @ 30 a		200 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4751HR3G	-	RFQ	6900	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	1SMA4751		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800								1 µa @ 22.8 v						30 v	40
BZS55C8V2	0.0340	RFQ	8519	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZS55C8V2TR	귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 10 ma		100 na @ 6.2 v						8.2 v	7 옴
ES1LJ R3G	-	RFQ	4888	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES1L	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	18pf @ 4V, 1MHz
TST40L200CW	2.8500	RFQ	1787	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	TST40	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		880 mV @ 20 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
MMSZ5235B	0.0433	RFQ	9274	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5235		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MMSZ5235BTR	귀 99	8541.10.0050	6,000						900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v						6.8 v	5 옴
SK53C R6	-	RFQ	1011	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-SK53CR6TR	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
BZD17C11P MHG	-	RFQ	8502	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.45%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.2 v @ 200 ma		4 µa @ 8.2 v						11 v	7 옴
SK25AHM2G	-	RFQ	5482	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK25	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
SF22GHB0G	-	RFQ	2055	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SF22	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
BZT52C5V6K	0.0474	RFQ	7144	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZT52C5V6KTR	귀 99	8541.10.0050	6,000								1 µa @ 2.5 v						5.6 v	40
TSZU52C4V3	0.0669	RFQ	4778	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4.99%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-tszu52c4v3tr	귀 99	8541.10.0050	20,000						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						4.3 v	95 옴
bzy55b22 Ryg	0.0486	RFQ	5239	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 10 ma		100 na @ 16 v						22 v	55 옴
S4A M6G	-	RFQ	8779	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	S4A	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		짐		50 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	100 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	60pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5226B	0.0433	RFQ	8930	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	MMSZ5226		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-MMSZ5226BTR	귀 99	8541.10.0050	6,000						900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	28 옴
DBLS106GHC1G	-	RFQ	7362	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DBLS106	기준		DBLS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50						1.1 v @ 1 a		2 µa @ 800 v		1 a		단일 단일	800 v
mbr3060pt	1.7416	RFQ	4526	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR3060	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	30A			1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1pgsmc5353h	0.3459	RFQ	3642	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101, 1PGSMC53	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								1 µa @ 12.2 v						16 v	3 옴
SS16L R3G	0.5600	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	do-219ab	SS16	Schottky		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		400 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
TS50P05G C2G	-	RFQ	1778	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS50P05	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15						1.1 v @ 25 a		10 µa @ 600 v		50 a		단일 단일	600 v
SS36HM6G	-	RFQ	3666	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS36	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
S1A R3g	0.4300	RFQ	4	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		짐		50 v		1.1 v @ 1 a	1.5 µs	1 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
S1ML RHG	-	RFQ	5495	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1ML	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		짐		1000 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
TS40P06G	1.3743	RFQ	4417	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, TS-6p	TS40P06	기준		TS-6P	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15						1.1 v @ 20 a		10 µa @ 800 v		40 a		단일 단일	800 v
BZD17C120P	0.3540	RFQ	9812	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.39%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZD17C120PTR	귀 99	8541.10.0050	10,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 91 v						120 v	300 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²