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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD27C30P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30P RHG -
RFQ
ECAD 8345 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
2M18ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M18ZH 0.1667
RFQ
ECAD 6548 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M18 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 13.7 v 18 v 10 옴
1PGSMB5944HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5944hr5g -
RFQ
ECAD 7318 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1pgsmb5944 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
ES1JF R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1JF R3G -
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 SMA-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SK85C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK85C M6G -
RFQ
ECAD 3383 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SK85 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 MV @ 8 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
MUR440HA0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440HA0G -
RFQ
ECAD 4565 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 MUR440 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.28 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
SRF1060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation srf1060hc0g -
RFQ
ECAD 7853 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF1060 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 700 mv @ 5 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSD2G R5G Taiwan Semiconductor Corporation TSD2G R5G 0.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB TSD2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
1SMB5935 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5935 R5G -
RFQ
ECAD 8812 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5935 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 20.6 v 27 v 23 옴
S1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1GL RHG -
RFQ
ECAD 4376 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 400 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
RS2GAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2GAHR3G -
RFQ
ECAD 9997 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
FR206G Taiwan Semiconductor Corporation FR206G 0.0981
RFQ
ECAD 5057 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR206 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT52C13K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13K RKG 0.0474
RFQ
ECAD 8813 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 13 v 30 옴
RS1JL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL RTG -
RFQ
ECAD 8785 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 800 ma 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
MBR1645 Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645 -
RFQ
ECAD 8123 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBR1645 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 16 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SR009 Taiwan Semiconductor Corporation SR009 -
RFQ
ECAD 7921 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr009tr 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 500 mA 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 65pf @ 4V, 1MHz
SR504 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR504 B0G -
RFQ
ECAD 6519 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR504 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a -
TST30U45CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30U45CW -
RFQ
ECAD 9108 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 15 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
SR520 Taiwan Semiconductor Corporation SR520 0.1954
RFQ
ECAD 4755 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR520 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 5 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZT52B75 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B75 RHG 0.3000
RFQ
ECAD 7287 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
BZY55C33 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c33 Ryg -
RFQ
ECAD 8036 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 24 v 33 v 80 옴
SS215L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L RHG -
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1N4935GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935GHR1G -
RFQ
ECAD 7059 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4935 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
S1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL RHG -
RFQ
ECAD 8515 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 100 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
UG06B Taiwan Semiconductor Corporation UG06B 0.0953
RFQ
ECAD 3907 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, UG06 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 600 MA 15 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P M2G -
RFQ
ECAD 1832 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
1PGSMA4759 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4759 0.1086
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1pgsma4759 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
S1DLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation s1dlhrug 0.1708
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SS310L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS310L MTG -
RFQ
ECAD 6668 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS310 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS13L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS13L R3G 0.1751
RFQ
ECAD 1443 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS13 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고