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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TSZU52C12 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C12 RGG 0.0669
RFQ
ECAD 5529 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
BZD17C43P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P MHG -
RFQ
ECAD 6945 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
1SMA4744HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4744HR3G -
RFQ
ECAD 1648 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4744 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
2M160ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M160ZH 0.1667
RFQ
ECAD 9698 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M160 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 121.6 v 160 v 650 옴
SKL13B Taiwan Semiconductor Corporation SKL13B 0.1470
RFQ
ECAD 1152 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SKL13 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
2M22ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M22ZH 0.1667
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M22 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 16.7 v 22 v 12 옴
SRA840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA840HC0G -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA840 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
RS1BL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL RFG -
RFQ
ECAD 3932 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5367 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5367 r6g -
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1PGSMC5367R6GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 32.7 v 43 v 20 옴
BZD27C13P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P R3G 0.1600
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13.25 v 10 옴
US1K Taiwan Semiconductor Corporation US1K 0.0757
RFQ
ECAD 8110 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C10PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10PHRUG -
RFQ
ECAD 4456 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 7 µa @ 7.5 v 10 v 4 옴
BZD27C91P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P 깔개 0.2753
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 90.5 v 200 옴
SS14LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS14LHRHG -
RFQ
ECAD 7436 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS14 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD27C33PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33PHR3G -
RFQ
ECAD 6702 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
1M110Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M110Z B0G -
RFQ
ECAD 2980 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1M110 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 83.6 v 110 v 450 옴
S3DBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3DBHR5G -
RFQ
ECAD 7819 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB S3D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 200 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
BZX85C10 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C10 0.0645
RFQ
ECAD 6718 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX85C10TR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 10 ma 500 NA @ 7.5 v 10 v 7 옴
BZD27C43P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P MQG -
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
SS210L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS210L R3G -
RFQ
ECAD 9629 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS210 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZT52C3V3S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3S RRG -
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
S1BL MHG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL MHG -
RFQ
ECAD 6223 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 100 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
MUR860H Taiwan Semiconductor Corporation mur860h -
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MUR860H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
RS1M Taiwan Semiconductor Corporation Rs1m 0.0639
RFQ
ECAD 9511 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Rs1m 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
RS1ALHM2G Taiwan Semiconductor Corporation rs1alhm2g -
RFQ
ECAD 6443 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
BZT52C16S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16S RRG 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 11.2 v 16 v 40
BAS85 L1 Taiwan Semiconductor Corporation BAS85 L1 -
RFQ
ECAD 9079 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Schottky 미니 미니 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BAS85L1 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
ES15DLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES15DLW RVG -
RFQ
ECAD 9719 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W ES15 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ES15DLWRVG 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1.5 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 24pf @ 4V, 1MHz
SS16LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS16LHMHG -
RFQ
ECAD 2300 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS16 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SR1690PTH Taiwan Semiconductor Corporation sr1690pth -
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SR1690 Schottky TO-247AD (TO-3P) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SR1690pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 16A (DC) 900 mV @ 8 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고