SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ES1LJ R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1LJ R3G -
RFQ
ECAD 4888 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1L 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1MHz
BZY55B22 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55b22 Ryg 0.0486
RFQ
ECAD 5239 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 16 v 22 v 55 옴
SK53C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK53C R6 -
RFQ
ECAD 1011 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SK53CR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MMSZ5226B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5226B 0.0433
RFQ
ECAD 8930 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F MMSZ5226 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MMSZ5226BTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
MBRS3045CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS3045CTHMNG -
RFQ
ECAD 9258 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS3045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 900 mV @ 30 a 200 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
TST40L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST40L200CW 2.8500
RFQ
ECAD 1787 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST40 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 880 mV @ 20 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
TSZU52C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C4V3 0.0669
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.99% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tszu52c4v3tr 귀 99 8541.10.0050 20,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 95 옴
DBLS106GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS106GHC1G -
RFQ
ECAD 7362 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS106 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
BZD17C11P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P MHG -
RFQ
ECAD 8502 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
BZT52C5V6K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V6K 0.0474
RFQ
ECAD 7144 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C5V6KTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 40
BZS55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C8V2 0.0340
RFQ
ECAD 8519 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 1206 (3216 메트릭) BZS55 500MW 1206 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZS55C8V2TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 7 옴
1N5399G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G A0G -
RFQ
ECAD 1322 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5399 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1000 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C22 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C22 RGG 0.0669
RFQ
ECAD 9719 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
S5MB Taiwan Semiconductor Corporation S5MB 0.1328
RFQ
ECAD 2068 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5M 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
SRS2060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2060 MNG -
RFQ
ECAD 2049 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS2060 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 700 mV @ 10 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
TS25P03GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P03GHC2G -
RFQ
ECAD 5472 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS25P03 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
TS50P05G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS50P05G C2G -
RFQ
ECAD 1778 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS50P05 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 600 v 50 a 단일 단일 600 v
SS19L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L MTG -
RFQ
ECAD 7261 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS19 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBR30150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30150PT 1.8014
RFQ
ECAD 9167 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30150 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 30A 1.02 V @ 30 a 500 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
TS40P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS40P06G 1.3743
RFQ
ECAD 4417 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS40P06 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 20 a 10 µa @ 800 v 40 a 단일 단일 800 v
TS25P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05GHC2G -
RFQ
ECAD 7543 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-6p TS25P05 기준 TS-6P 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
1PGSMC5353H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5353h 0.3459
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101, 1PGSMC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 12.2 v 16 v 3 옴
S1A R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A R3g 0.4300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA S1A 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 50 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
TSS4B04G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B04G C2G -
RFQ
ECAD 5157 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, TS-4B TSS4B04 기준 TS4B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.3 V @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
1N4003G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003G R0G -
RFQ
ECAD 5419 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4003 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 200 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT55B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V3 0.0385
RFQ
ECAD 5206 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-80 변형 500MW Qmmelf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT55B3V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.3 v 85 옴
MBRS25150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25150CT 0.9315
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS25150 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRS25150CTTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 25A 1.02 V @ 25 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
SFF508G Taiwan Semiconductor Corporation sff508g -
RFQ
ECAD 2913 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 sff508 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2.5 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
PE4BC Taiwan Semiconductor Corporation PE4BC 0.6500
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - 1 (무제한) 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 4 a 20 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 72pf @ 4V, 1MHz
SR309HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr309ha0g -
RFQ
ECAD 9528 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR309 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고