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다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZD27C68P RVG	0.6900	RFQ	2	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 51 v				68 v	80 옴
es1glhrtg	-	RFQ	3496	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	es1g	기준		SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
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BZX55C47 A0G	-	RFQ	2610	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1 v @ 100 ma		100 na @ 35 v				47 v	110 옴
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MBRF30L120CTHC0G	-	RFQ	7639	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF30	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	30A	950 MV @ 30 a		20 ma @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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BAS40-04 RFG	0.0581	RFQ	5770	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C
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MBR20100PT	-	RFQ	8312	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR20100	Schottky		TO-247AD (TO-3P)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	950 MV @ 20 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SFT13G R0G	-	RFQ	9938	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	T-18, 축,	SFT13	기준		TS-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
MBRF10200 C0G	-	RFQ	1720	대만 대만 회사	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF1020	Schottky		ITO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.05 V @ 10 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
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AZ23C3V3	0.0786	RFQ	3866	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C		300MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-AZ23C3V3TR	귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통											3.3 v	95 옴
SR1504HA0G	-	RFQ	9541	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	SR1504	Schottky		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	700		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 15 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	15a	-
SS320 R7G	-	RFQ	1292	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS320	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mV @ 3 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1pgsmb5931h	0.1798	RFQ	7088	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101, 1PGSMB59	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	DO-214AA (SMB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								1 µa @ 13.7 v				18 v	12 옴
SR1630HC0G	-	RFQ	7235	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SR1630	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	16A	550 mV @ 8 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C
SR1204 A0G	-	RFQ	2544	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR1204	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 12 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	12a	-
BZD17C47P RFG	-	RFQ	5183	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 36 v				47 v	45 옴
BZX79C5V1 A0G	-	RFQ	7506	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79		500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000						1.5 v @ 100 ma		2 µa @ 2 v				5.1 v	60 옴
BZX585B8V2 RKG	-	RFQ	3978	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX585B8		200 MW	SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								630 na @ 5 v				8.2 v	15 옴
BZT52B7V5-G RHG	0.0461	RFQ	2809	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52B		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v				7.5 v	15 옴
BZX85C16 A0G	-	RFQ	1442	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 10 ma		500 na @ 12 v				16 v	15 옴
2M91ZHA0G	-	RFQ	1170	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M91		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500								500 NA @ 69.2 v				91 v	125 옴
BZD27C39PHRTG	-	RFQ	5167	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.12%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 30 v				39 v	40
BZD27C39PWH	0.6600	RFQ	349	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	BZD27		1 W.	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1 v @ 200 ma		1 µa @ 30 v				39 v	40
SK23A R3G	-	RFQ	2577	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SK23	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²