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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX585B4V7 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B4V7 RKG -
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2.7 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BZX585B4V3 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B4V3 RKG -
RFQ
ECAD 3504 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2.7 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
ES1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL RHG -
RFQ
ECAD 5966 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1MHz
RSFGL RUG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL 깔개 -
RFQ
ECAD 4011 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFGL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C2V2 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V2 RGG 0.0669
RFQ
ECAD 1671 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0603 (1608 메트릭) TSZU52 150 MW 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.2 v 100 옴
UDZS12B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS12B RRG -
RFQ
ECAD 3156 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F UDZS12 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 90 na @ 9 v 12 v 20 옴
SS215L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L RHG -
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS215 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S12MC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R6 -
RFQ
ECAD 1783 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-S12MCR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
MTZJ9V1SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ9V1SA 0.0305
RFQ
ECAD 6934 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj9 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj9v1satr 귀 99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 6 v 9.1 v 25 옴
SR009 Taiwan Semiconductor Corporation SR009 -
RFQ
ECAD 7921 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr009tr 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 500 mA 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 65pf @ 4V, 1MHz
RS2GAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2GAHR3G -
RFQ
ECAD 9997 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RS2G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 50pf @ 4V, 1MHz
1N4935GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935GHR1G -
RFQ
ECAD 7059 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4935 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ES1DL Taiwan Semiconductor Corporation es1dl 0.3900
RFQ
ECAD 5287 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SRS1090 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1090 MNG -
RFQ
ECAD 2847 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1090 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 900 mV @ 5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1645 Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645 -
RFQ
ECAD 8123 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-MBR1645 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 16 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SF803G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF803G C0G -
RFQ
ECAD 8233 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF803 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 975 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 70pf @ 4V, 1MHz
1N5398G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5398G 0.0779
RFQ
ECAD 4783 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5398 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
MBRS16150 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS16150 MNG -
RFQ
ECAD 7349 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS16150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 16 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SFT15GH Taiwan Semiconductor Corporation sft15gh 0.1165
RFQ
ECAD 7184 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT15 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
UF1KH Taiwan Semiconductor Corporation UF1KH 0.1044
RFQ
ECAD 2260 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1K 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
ES1JF R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1JF R3G -
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 SMA-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
S1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1GL RHG -
RFQ
ECAD 4376 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 400 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
HS1JL RHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1JL RHG -
RFQ
ECAD 9063 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
ES1BL M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL M2G -
RFQ
ECAD 4136 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1MHz
BZT52B39 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B39 RHG 0.2700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
SS1H20LS Taiwan Semiconductor Corporation SS1H20LS 0.5100
RFQ
ECAD 70 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS1H20 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mv @ 1 a 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD27C24PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PHMQG -
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24.2 v 15 옴
BZT55C4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V3 L0G 0.0350
RFQ
ECAD 6187 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 75 옴
RS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation rs1gal 0.4800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 Rs1g 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
1SMA5934HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5934HR3G -
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5934 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 500 NA @ 18.2 v 24 v 19 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고