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다이오드 (14739)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
LSR104 L0	-	RFQ	5072	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-213AB, MELF		Schottky		멜프	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-LSR104LTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
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6A05G	-	RFQ	3543	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-6A05GTR	귀 99	8541.10.0080	1,000	짐		50 v		1.1 v @ 6 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	60pf @ 4V, 1MHz
SS14HR3G	-	RFQ	8532	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 1 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BZX585B9V1 RKG	-	RFQ	4097	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523	BZX585B9		200 MW	SOD-523F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							450 na @ 6 v				9.1 v	15 옴
BAT42 R0	-	RFQ	8002	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BAT42	Schottky		DO-35	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	BAT42R0	귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C	200ma	7pf @ 1v, 1MHz
ES3A M6G	-	RFQ	9414	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES3A	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 3 a	35 ns	10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
2M100ZHB0G	-	RFQ	9039	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M100		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,000							500 NA @ 76 v				100 v	175 옴
S4B R6g	-	RFQ	5178	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-S4BR6GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v		1.15 V @ 4 a	1.5 µs	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	60pf @ 4V, 1MHz
MBRF20100HC0G	-	RFQ	1929	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	MBRF20100	Schottky		ITO-220AC	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 20 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	-
SS29L MHG	-	RFQ	1806	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS29	Schottky		SMA	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		850 mv @ 2 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
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SR309 B0G	-	RFQ	2092	대만 대만 회사	-	대부분	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SR309	Schottky		Do-201ad	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		850 mV @ 3 a		100 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
F1T2G A0G	-	RFQ	2991	대만 대만 회사	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	T-18, 축,	F1T2	기준		TS-1	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
RS1K R3G	-	RFQ	2657	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS1K	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZD17C51P RTG	-	RFQ	8876	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	do-219ab	BZD17		800MW	SMA	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 39 v				51 v	60 옴
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SSL33	0.3150	RFQ	1372	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	SSL33	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v				200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
MBRF5200	-	RFQ	7810	대만 대만 회사	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2		Schottky		ITO-220AC	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-MBRF5200	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.02 V @ 5 a		100 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
TSZU52C39 RGG	0.0669	RFQ	7951	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0603 (1608 메트릭)	TSZU52		150 MW	0603	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 29 v				39 v	90 옴
2M13ZHA0G	-	RFQ	9853	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M13		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500							500 NA @ 9.9 v				13 v	5 옴
TSI30H120CW	-	RFQ	8922	대만 대만 회사	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	TSI30	Schottky		i2pak	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	15a	840 mV @ 15 a		250 µa @ 120 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SS23LH	0.3210	RFQ	5782	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	SS23	Schottky		SMA	다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-SS23LHTR	귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
Bzy55B5V1	0.0413	RFQ	2381	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	0805 (2012 5)	bzy55		500MW	0805	다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZY55B5V1TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 1 v				5.1 v	50 옴
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2M160ZH	0.1667	RFQ	9698	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	2M160		2 w	DO-204AC (DO-15)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,500							500 NA @ 121.6 v				160 v	650 옴
S1BL MHG	-	RFQ	6223	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	S1B	기준		SMA	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000	짐		100 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9pf @ 4V, 1MHz
SKL13B	0.1470	RFQ	1152	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SKL13	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		390 mV @ 1 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	-
BZT52C16S RRG	0.3400	RFQ	1	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZT52C		200 MW	SOD-323F	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1 V @ 10 ma		45 NA @ 11.2 v				16 v	40

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (14739)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²