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다이오드 (14739)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4747AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747AH 0.1188
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4747 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 15.2 v 20 v 95 옴
HS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation hs1gal 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 HS1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
SR202 Taiwan Semiconductor Corporation SR202 -
RFQ
 ECAD 4267 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sr202tr 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
BZV55C10 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C10 0.0333
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-bzv55c10tr 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
MBR30L45CTH Taiwan Semiconductor Corporation mbr30l45cth -
RFQ
 ECAD 5070 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 550 mV @ 15 a 400 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5408G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5408G 0.7200
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5408 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 짐 1000 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1MHz
SS23MH Taiwan Semiconductor Corporation SS23MH 0.3800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 SS23 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 2 a 150 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
S1M-JR3 Taiwan Semiconductor Corporation S1M-JR3 -
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
TSSA3U60 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U60 R3G 0.6700
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA TSSA3 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 540 mV @ 3 a 25 ns 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 450pf @ 4V, 1MHz
RSFBLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation rsfblhrug -
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFBL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SFS1604G Taiwan Semiconductor Corporation SFS1604G 0.7560
RFQ
 ECAD 5746 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFS1604 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1MHz
S4B V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4B V7G 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S4B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 100 v 1.15 V @ 4 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 60pf @ 4V, 1MHz
HS3K M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3K M6G -
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
S1M-KR2G Taiwan Semiconductor Corporation S1M-KR2G -
RFQ
 ECAD 9153 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1M-K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
S3M M6 Taiwan Semiconductor Corporation S3M M6 -
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-s3mm6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 1000 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4933GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933GHR1G -
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4933 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ES3FB Taiwan Semiconductor Corporation es3fb 0.1908
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB es3f 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.13 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 41pf @ 4v, 1MHz
RS1BLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BLHRVG -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
HS1BL M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL M2G -
RFQ
 ECAD 7994 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1B 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
RS2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2D R5G -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
TSUP5M60SH S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSUP5M60SH S1G 0.6525
RFQ
 ECAD 1070 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSUP5 Schottky smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 5 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 346pf @ 4V, 1MHz
RSFBL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFBL R3G -
RFQ
 ECAD 9400 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFBL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SK22A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK22A R3G -
RFQ
 ECAD 9395 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SK22 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S10JC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S10JC V7G 0.8100
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S10J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 짐 600 v 1.1 v @ 10 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
SK52C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK52C M6 -
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-sk52cm6tr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 5 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
HER1007G Taiwan Semiconductor Corporation HER1007G 0.5559
RFQ
 ECAD 9034 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 HER1007 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 800 v 10A 1.7 V @ 5 a 80 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C160PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160PHRHG -
RFQ
 ECAD 4649 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 162 v 350 옴
1SMB5931H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5931H 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5931 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
BZV55B4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B4V7 0.0504
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B4V7TR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 500 na @ 1 v 4.7 v 60 옴
HS5K R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5K R7G -
RFQ
 ECAD 1822 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 5 a 75 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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