SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
HER204G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER204G A0G -
RFQ
ECAD 1969 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 HER204 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
HS5F R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS5F R7 -
RFQ
ECAD 9741 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-hs5fr7tr 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
2A01GH Taiwan Semiconductor Corporation 2A01GH -
RFQ
ECAD 9020 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-2A01GHTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 50 v 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5367 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5367 m6g -
RFQ
ECAD 3032 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5367m6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 32.7 v 43 v 20 옴
HS3M R6 Taiwan Semiconductor Corporation HS3M R6 -
RFQ
ECAD 5117 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-HS3MR6TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
SS320HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SS320HM6G -
RFQ
ECAD 3501 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS320 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SRAS8150HMNG Taiwan Semiconductor Corporation sras8150hmng -
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS8150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 8 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SS26LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS26LHR3G -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS26 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SR306HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr306ha0g -
RFQ
ECAD 9175 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR306 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1SMA4752 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4752 R3G -
RFQ
ECAD 8131 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4752 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
ES1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation es1dlhmqg -
RFQ
ECAD 2612 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1D 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS12LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LS RVG 0.0905
RFQ
ECAD 7774 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS12 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
GP1001HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1001HC0G -
RFQ
ECAD 9209 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 GP1001 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1 음극 음극 공통 50 v 10A 1.1 v @ 5 a 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
TSF40H150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H150C 1.7502
RFQ
ECAD 4549 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSF40 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 710 MV @ 20 a 150 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C160P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P R3G -
RFQ
ECAD 1536 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 162 v 350 옴
S5B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S5B V6G -
RFQ
ECAD 5181 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S5B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 60pf @ 4V, 1MHz
BZV55B6V8 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B6V8 L1G -
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1 v @ 100 ma 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
SS22LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHMQG -
RFQ
ECAD 8343 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ES3GBH Taiwan Semiconductor Corporation ES3GBH 0.2034
RFQ
ECAD 4388 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB es3g 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.13 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 41pf @ 4v, 1MHz
BZD27C11PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PH 0.2933
RFQ
ECAD 2138 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZD27C11PHTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
ES1GFSH Taiwan Semiconductor Corporation es1gfsh 0.1131
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 기준 SOD-128 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-es1gfshtr 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16pf @ 4V, 1MHz
HS2MAL Taiwan Semiconductor Corporation hs2mal 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 HS2M 기준 SMA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12pf @ 4V, 1MHz
SRT13HA1G Taiwan Semiconductor Corporation srt13ha1g -
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT13 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SR16100H Taiwan Semiconductor Corporation SR16100H 0.7608
RFQ
ECAD 5110 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR16100 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SR16100H 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 900 mV @ 8 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
S1AL MQG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL MQG -
RFQ
ECAD 6838 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 50 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
MBR790HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR790HC0G -
RFQ
ECAD 1469 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR790 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 920 MV @ 7.5 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
SR202HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr202ha0g -
RFQ
ECAD 1456 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR202 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
1N4746AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746AH 0.1188
RFQ
ECAD 7125 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4746 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 13.7 v 18 v 50 옴
FR154G Taiwan Semiconductor Corporation FR154G 0.0795
RFQ
ECAD 5135 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR154 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
1SMA5942H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5942H 0.0995
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5942 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 38.8 v 51 v 70 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고