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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1PGSMC5348 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5348 m6g -
RFQ
ECAD 6184 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5348m6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 8.4 v 11 v 3 옴
ES1JL MQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL MQG -
RFQ
ECAD 5946 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1MHz
BAT54CD-G Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CD-G 0.1224
RFQ
ECAD 9967 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bat54 Schottky SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BAT54CD-GTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 음극 음극 공통 30 v 200ma 240 mV @ 100 ma 2 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C9V1 0.0511
RFQ
ECAD 2648 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZX84C9V1TR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
SRAS8150H Taiwan Semiconductor Corporation SRAS8150H 0.6687
RFQ
ECAD 8251 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRAS8150 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SRAS8150HTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 8 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
6A10G Taiwan Semiconductor Corporation 6A10G 0.3780
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 6A10 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 100 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
AZ23C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C3V6 0.0786
RFQ
ECAD 1090 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-AZ23C3V6TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 3.6 v 95 옴
MBRF10150CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150CTC0 -
RFQ
ECAD 2488 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF1015 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 980 MV @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
HER203G Taiwan Semiconductor Corporation HER203G 0.1758
RFQ
ECAD 8557 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 기준 DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-her203gtr 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
HS5A R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A R7g 0.5800
RFQ
ECAD 72 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS5A 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
HS3F R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3F R7G -
RFQ
ECAD 1751 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC HS3F 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
UG58G Taiwan Semiconductor Corporation UG58G 0.2361
RFQ
ECAD 7432 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UG58 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 5 a 20 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
MBRAD5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD5150H 0.7200
RFQ
ECAD 7213 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRAD5150 Schottky 윈스 윈스 - Rohs3 준수 1 (무제한) 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 880 mV @ 5 a 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 102pf @ 4v, 1MHz
1SMC5352HM6G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352HM6G -
RFQ
ECAD 9241 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1SMC5352 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 11.5 v 15 v 2.5 옴
BZY55B6V2 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55b6v2 Ryg -
RFQ
ECAD 8551 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
BZT55B6V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B6V2 L0G 0.0385
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
MBRF3060CTH Taiwan Semiconductor Corporation mbrf3060cth -
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF3060 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 900 mV @ 30 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
TUAS8DH Taiwan Semiconductor Corporation tuas8dh 0.2466
RFQ
ECAD 6977 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn tuas8 기준 smpc4.6u 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tuas8dhtr 귀 99 8541.10.0080 6,000 200 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 62pf @ 4V, 1MHz
SFT16G A1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT16G A1G -
RFQ
ECAD 5123 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT16 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N4448WS RRG Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448WS RRG 0.0276
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F 1N4448 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
MUR440S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S V7G 1.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR440 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
MTZJ20SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SB 0.0305
RFQ
ECAD 6102 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj20 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-mtzj20sbtr 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 15 v 19.11 v 55 옴
BZD27C220PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PHRVG -
RFQ
ECAD 2528 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 160 v 220.5 v 900 옴
MBR10100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR10100CTH -
RFQ
ECAD 2304 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1010 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 950 MV @ 10 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMC5361 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5361 r6g -
RFQ
ECAD 7127 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-1pgsmc5361r6gtr 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 20.6 v 27 v 5 옴
B0530W RHG Taiwan Semiconductor Corporation B0530W RHG 0.0878
RFQ
ECAD 5016 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 B0530 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 430 mV @ 500 mA 130 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 170pf @ 0V, 1MHz
BZD17C120P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P RFG -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 91 v 120 v 300 옴
BZT52C68 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 RHG 0.0453
RFQ
ECAD 4551 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52C 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation pu4bch 0.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 4 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 78pf @ 4V, 1MHz
BZT52B56 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B56 RHG 0.0453
RFQ
ECAD 5658 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고