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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SFS1006G Taiwan Semiconductor Corporation SFS1006G -
RFQ
ECAD 9656 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SFS1006 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
RS1ML RVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1ML RVG 0.4100
RFQ
ECAD 153 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab Rs1m 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 800 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C10P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10P RTG -
RFQ
ECAD 8201 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 7 µa @ 7.5 v 10 v 4 옴
MBR1545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR1545CT -
RFQ
ECAD 8809 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR1545 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 840 mV @ 15 a 500 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4005G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005G R1G -
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ECAD 3063 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 600 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT52B47-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B47-G 0.0461
RFQ
ECAD 3276 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 410 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52B47-GTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 35 v 47 v 100 옴
S1ML MTG Taiwan Semiconductor Corporation S1ML MTG -
RFQ
ECAD 6202 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1ML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
SS24L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS24L R3G -
RFQ
ECAD 6387 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS24 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS35 Taiwan Semiconductor Corporation SS35 0.2809
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ECAD 9035 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SS35TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SRAF5100H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5100H -
RFQ
ECAD 7621 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 Schottky ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRAF5100H 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 200 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
SSL23 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SSL23 R5G -
RFQ
ECAD 3607 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SSL23 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 410 mv @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
SFAF802G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF802G C0G -
RFQ
ECAD 2542 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF802 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 90pf @ 4V, 1MHz
BZV55C47 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C47 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 3209 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 35 v 47 v 110 옴
SRT13 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT13 R0G -
RFQ
ECAD 5028 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SRT13 Schottky TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SFF1606G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1606G 1.5700
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ECAD 36 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SFF1606 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 16 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 50pf @ 4V, 1MHz
TSSD20L150SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD20L150SW 0.8805
RFQ
ECAD 6521 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSSD20 Schottky TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSSD20L150SWTR 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.05 V @ 20 a 20 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 920pf @ 4V, 1MHz
SR010HA0G Taiwan Semiconductor Corporation sr010ha0g -
RFQ
ECAD 4500 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR010 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 500 mA 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 65pf @ 4V, 1MHz
2M19Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M19Z 0.1565
RFQ
ECAD 6193 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M19 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,500 500 NA @ 14.4 v 19 v 11 옴
1N4760AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4760AH 0.1188
RFQ
ECAD 5641 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4760 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 51.7 v 68 v 150 옴
BZT52B22 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B22 RHG 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 45 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
SS36H Taiwan Semiconductor Corporation SS36H 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52C24K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24K 0.0474
RFQ
ECAD 9718 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZT52C24KTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 19 v 24 v 70 옴
SK39BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK39BHR5G -
RFQ
ECAD 7723 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SK39 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1M Taiwan Semiconductor Corporation S1M 0.3700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1M 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 1000 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
HS1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RFG -
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab HS1G 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RHG -
RFQ
ECAD 4849 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 12 v 16.2 v 15 옴
TPMR6G S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPMR6G S1G 1.1900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TPMR6 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 6 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
FR101G Taiwan Semiconductor Corporation FR101G 0.0795
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-FR101GTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
TST30L45C Taiwan Semiconductor Corporation TST30L45C 2.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 670 mV @ 30 a 650 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V3 0.0333
RFQ
ECAD 2399 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55C3V3TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 2 µa @ 1 v 3.3 v 85 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고