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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MTZJ27SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ27SC 0.0305
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJ27 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ27Sctr 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 21 v 26.29 v 45 옴
ES3G R6G Taiwan Semiconductor Corporation es3g r6g -
RFQ
ECAD 8891 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-es3gr6gtr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
HERAF1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1601G C0G -
RFQ
ECAD 5181 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 HERAF1601 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 16 a 50 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 150pf @ 4V, 1MHz
1SMB5956HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5956HR5G -
RFQ
ECAD 1823 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 w DO-214AA (SMB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
SF2005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2005GHC0G -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF2005 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 10 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1MHz
BZV55B9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B9V1 0.0357
RFQ
ECAD 7347 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B9V1TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
SS115LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHMQG -
RFQ
ECAD 4948 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS115 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SRF10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF10100HC0G -
RFQ
ECAD 7638 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SRF10100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 900 mV @ 5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
AZ23C2V7 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C2V7 RFG 0.0786
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 2.7 v 83 옴
MBR20200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200CT-Y 0.5404
RFQ
ECAD 7539 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20200 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBR20200CT-Y 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 700 mV @ 20 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS39 M6G Taiwan Semiconductor Corporation SS39 M6G -
RFQ
ECAD 1464 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS39 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1JR2 Taiwan Semiconductor Corporation S1JR2 -
RFQ
ECAD 9207 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1J 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 600 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
SF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1008GH 0.6140
RFQ
ECAD 2661 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SF1008 기준 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SF1008GH 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 10A 1.7 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B75 0.0357
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55B 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-BZV55B75TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 56 v 75 v 170 옴
BZD17C36P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RTG -
RFQ
ECAD 5173 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
SR16100 Taiwan Semiconductor Corporation SR16100 -
RFQ
ECAD 3467 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 SR16100 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 900 mV @ 8 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
PUAD10BCH Taiwan Semiconductor Corporation puad10bch 0.9500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PUAD10 기준 윈스 윈스 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 950 MV @ 10 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C47P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P R3G -
RFQ
ECAD 8905 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
ES1JLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation es1jlhr3g -
RFQ
ECAD 3938 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1J 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SFT14G A1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT14G A1G -
RFQ
ECAD 4152 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, SFT14 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1N5398G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5398G A0G -
RFQ
ECAD 3190 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5398 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 800 v 1 V @ 1.5 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
RS1GLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation rs1glhrqg -
RFQ
ECAD 5081 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab Rs1g 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
F1T7GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T7GHA0G -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, F1T7 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S12GCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S12GCHR7G -
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S12G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 400 v 1.1 v @ 12 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 78pf @ 4V, 1MHz
SRS1040 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1040 0.6690
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1040 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-srs1040tr 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
SS22LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHRQG -
RFQ
ECAD 7667 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS22 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZV55C15 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C15 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
S5JB Taiwan Semiconductor Corporation S5JB 0.1328
RFQ
ECAD 7152 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S5J 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
ESH3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B M6G -
RFQ
ECAD 5825 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ESH3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 20 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SFAF1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1001G C0G -
RFQ
ECAD 4316 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SFAF1001 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 10 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 170pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고