SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD17C13P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P M2G -
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
1SMB5945 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5945 R5G -
RFQ
ECAD 1378 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5945 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 850 1 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
TSP10U100S Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U100 1.3500
RFQ
ECAD 113 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSP10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 680 mV @ 10 a 150 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SRA2050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2050HC0G -
RFQ
ECAD 5667 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA2050 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mV @ 20 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
ES1ALHM2G Taiwan Semiconductor Corporation es1alhm2g -
RFQ
ECAD 1904 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N5255B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5255B A0G -
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% 100 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5255 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
BZY55C9V1 RYG Taiwan Semiconductor Corporation bzy55c9v1 Ryg -
RFQ
ECAD 9022 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0805 (2012 5) bzy55 500MW 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 10 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
ES3AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation es3ahm6g -
RFQ
ECAD 7594 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3A 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
UF1B R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1B R1G -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF1B 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
M3Z51VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z51VC 0.0294
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z51 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z51VCTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 38 v 51 v 125 옴
MMBD3004CA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004CA RFG 0.3700
RFQ
ECAD 6845 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 350 v 225MA 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 350 v -65 ° C ~ 150 ° C
SF3006PTH Taiwan Semiconductor Corporation sf3006pth -
RFQ
ECAD 4443 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 SF3006 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A 175pf @ 4V, 1MHz
ES1ALHMHG Taiwan Semiconductor Corporation es1alhmhg -
RFQ
ECAD 2998 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
1N4933G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933G R1G -
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4933 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
SS115L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS115L R3G -
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS115 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
HERF1008GA Taiwan Semiconductor Corporation HERF1008GA 0.5661
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 HERF1008 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 10A 1.7 V @ 5 a 80 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4741A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741A r1g -
RFQ
ECAD 8318 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4741 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 12.2 v 11 v 16 옴
SRA1640HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1640HC0G -
RFQ
ECAD 8185 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA1640 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 16 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
UG06CHA1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06CHA1G -
RFQ
ECAD 5428 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 T-18, 축, UG06 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 600 MA 15 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4V, 1MHz
MUR460HB0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460HB0G -
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 MUR460 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.28 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 65pf @ 4V, 1MHz
RSFDL MQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFDL MQG -
RFQ
ECAD 3411 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFDL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SR809 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR809 B0G -
RFQ
ECAD 3843 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR809 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 920 MV @ 8 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
RSFKL Taiwan Semiconductor Corporation RSFKL 0.0725
RFQ
ECAD 7569 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 do-219ab RSFKL 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SR209HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR209HB0G -
RFQ
ECAD 1415 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SR209 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1T3G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T3G R0G -
RFQ
ECAD 4058 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 T-18, 축, 1T3G 기준 TS-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 200 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
RS1ALHRUG Taiwan Semiconductor Corporation rs1alhrug 0.1932
RFQ
ECAD 9679 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RS1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 800 ma 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4V, 1MHz
SRA860 Taiwan Semiconductor Corporation SRA860 -
RFQ
ECAD 4640 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-SRA860 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 8 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
ES2HA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2HA R3G 0.7700
RFQ
ECAD 40 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA ES2H 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 10 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C30P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30P RFG -
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
FR305G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR305G B0G -
RFQ
ECAD 8630 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 FR305 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고