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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
M3Z5V1C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z5V1C 0.0294
RFQ
ECAD 2660 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F M3Z5 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-M3Z5V1CTR 귀 99 8541.10.0050 6,000 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 50 옴
BZT52C3V6S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V6S RRG -
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 4.5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
S3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3D V7G -
RFQ
ECAD 2026 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 200 v 1.15 V @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
MBR1650 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1650 C0G -
RFQ
ECAD 8872 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1650 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 750 mV @ 16 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SMLW Taiwan Semiconductor Corporation smlw 0.0498
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W 기준 SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SMLWTR 귀 99 8541.10.0080 20,000 1000 v 1.1 v @ 800 ma 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 7pf @ 4V, 1MHz
SRS1690 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1690 MNG -
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS1690 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 16A 900 mV @ 8 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B8V2 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B8V2 RHG 0.0416
RFQ
ECAD 1132 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52B 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 10 ma 630 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
SRS2040H Taiwan Semiconductor Corporation SRS2040H 0.7674
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SRS2040 Schottky TO-263AB (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-SRS2040HTR 귀 99 8541.10.0080 1,600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 550 mV @ 10 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
TSPB15U100S S2G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB15U100S S2G 0.6216
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn TSPB15 Schottky smpc4.0 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 700 mV @ 15 a 250 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
UG2D B0G Taiwan Semiconductor Corporation UG2D B0G -
RFQ
ECAD 1466 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 UG2D 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
SS310L Taiwan Semiconductor Corporation SS310L 0.5200
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ECAD 38 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 do-219ab SS310 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MTZJ10SC Taiwan Semiconductor Corporation mtzj10sc 0.0305
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 mtzj10 500MW DO-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MTZJ10SCTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 7 v 9.95 v 30 옴
2M18Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M18Z B0G -
RFQ
ECAD 1750 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2M18 2 w DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 13.7 v 18 v 10 옴
LL4448 Taiwan Semiconductor Corporation LL4448 0.0263
RFQ
ECAD 6899 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 기준 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-ll4448tr 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
1SMA5946 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5946 0.0944
RFQ
ECAD 9751 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5946 1.5 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 56 v 75 v 140 옴
MBRF2035CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2035CTHC0G -
RFQ
ECAD 5523 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF2035 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 20A 840 mV @ 20 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS24LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS24LHRUG -
RFQ
ECAD 8528 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS24 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SRA2020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2020 C0G -
RFQ
ECAD 5773 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA2020 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 20 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 20A -
MBR2035PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035pth -
RFQ
ECAD 5636 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 Schottky TO-247AD (TO-3P) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-mbr2035pth 귀 99 8541.10.0080 900 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 20A (DC) 840 mV @ 20 a 100 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C51P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C51P M2G -
RFQ
ECAD 5874 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
BZD27C36P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P RFG -
RFQ
ECAD 1683 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
RSFMLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFMLHRQG -
RFQ
ECAD 4324 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab RSFML 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 500 ma 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SR105 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR105 R0G -
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SR105 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SR815H Taiwan Semiconductor Corporation SR815H 0.2514
RFQ
ECAD 5257 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SR815 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.02 V @ 8 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SS13LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS13LHRVG 0.2235
RFQ
ECAD 7526 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS13 Schottky SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1N4752AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752AHR1G -
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4752 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
BZD17C27P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P RQG -
RFQ
ECAD 7153 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
HER601G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER601G B0G -
RFQ
ECAD 9546 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, HER601 기준 R-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 6 a 50 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4V, 1MHz
SRA1030 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1030 C0G -
RFQ
ECAD 9502 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SRA1030 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 10 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
BZD27C36PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHRVG -
RFQ
ECAD 2284 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD27 1 W. SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 27 v 36 v 40
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고